Категория
Информатика
Тип
контрольная работа
Страницы
11 стр.
Дата
29.05.2013
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
641168.zip — 7.48 kb
  • texnologicheskij-process-izgotovlenija-platy-integralnoj-mikrosxemy-filtra_641168_1.html — 30 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо



Текст работы

Характеристика материалов пленочных элементов


Материал подложки.

Наименование материалаКоэффициент теплопроводности, Вт/м ? градДиэлектрическая проницаемость, ? Температурный коэффициент линейного расширения, град -1 10 -6 Ситалл Ст50-12-328,55±0,2

Материал для тонкопленочных резисторов.

Наименование материалаУдельное поверхностное сопротивление, Ом/?Диапазон получаемых сопротивлений, ОмТемпературный коэффициент сопротивления, 10 -4 град -1 Допустимая удельная мощность рассеяния Вт/мм 2 РС-3710500-300150-100000 -(1÷2,5) 0,02

Материал для проводников.

МатериалТемпература плавления, 0 САтомная массаПлотность 10 6 г/мУсловная температура испарения 0 СКоэффициент теплопроводности, Вт/м КТемпературный коэффициент сопротивления, 10 -4 К -1 Удельное электрическое сопротивление 10 -6 Ом мМедь108363,58,941273390430,0172Никель145558,78,9151095650,073

Технологические расчеты


Расчет технологической точности пленочных элементов микросхем.

В основу расчета точности положены функциональные связи выходных параметров пассивных тонкопленочных элементов с электрофизическими параметрами пленок и геометрическими размерами.


R=R–


Расчет резисторов

№R, ОмR–,

ОмL, ммB, ммСреднестатистические параметрыR , Ом3 s R, ОмLср, мм3 s Lср , ммB ср , мм3 s Bср , ммR 1 16900 510000 ± 50050910000510500,00890,014R 2 1690



Ваше мнение



CAPTCHA