Категория
Физика
Тип
лабораторная работа
Страницы
7 стр.
Дата
29.08.2008
Формат файла
.rtf — Rich Text Format (Wordpad)
Архив
118985.zip — 36.75 kb
  • izuchenie-raboty-polevogo-tranzistora_118985_1.rtf — 467.57 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Рейтинг
10  из 10
Оценок
1
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо



Текст работы

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА Ерин К.В.
Александр
5
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА
Изучение работы полевого транзистора
Цель работы: ознакомиться с принципами работы полевого транзистора, построить стоковые характеристики транзистора.
Краткие теоретические сведения
Во многих современных электронных устройствах используют транзисторы, ток носителей которых
течет по так называемому каналу, образованному внутри кремниевого кристалла. Этим током можно управлять, прикладывая электрическое поле. Такие
приборы называются полевыми транзисторами (в англоязычной литературе
применяют сокращение FET – Field
Effected Transistor ).
В настоящее время эти транзисторы играют важную роль, являясь элементами интегральных схем, которые содержат на одном кристалле от сотен
тысяч до миллионов полупроводниковых приборов. В свою очередь на базе таких интегральных схем создают компьютеры, микропроцессорные системы, устройства обработки сигналов и др.
Существуют три группы полевых транзисторов: типа МОП (металл-оксид-полупроводник), с управляющим p - n
- переходом, с управляющим переходом металл-полупроводник.
Рассмотрим
устройство полевого транзистора с управляющим p
- n - переходом (см. рис.1).
Тонкая пластинка полупроводника (канал) снабжена двумя омическими электродами (исток, сток). Между истоком и стоком расположен третий электрод – затвор. Напряжение, приложенное между затвором и любым из двух других электродов, приводит к
появлению в подзатворной области канала электрического поля. Влияние этого поля приводит к изменению количества носителей заряда в канале вблизи затвора и изменяет сопротивление канала.
Если канал полевого транзистора – полупроводник n - типа, то



Ваше мнение



CAPTCHA