Категория
Коммуникации и связь
Тип
реферат
Страницы
35 стр.
Дата
12.06.2014
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
1032126.zip — 14.49 kb
  • proektirovanie-gibridnyx-integralnyx-mikrosxem-i-raschet-jelementov-uzlov-detektora-svch-s_1032126_1.html — 81.81 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо



Текст работы

Министерство образования Российской Федерации

 

Факультет ЭИУК

Кафедра ЭИУ1-КФ «Конструирование ипроизводство электронной аппаратуры»

 

/> 

РАСЧЁТНО-ПОЯСНИТЕЛЬНАЯЗАПИСКА

к курсовомупроекту по курсу ТИМС

на тему:

“ПроектированиеГИС и расчет элементов узлов детектора СВЧ сигналов

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Калуга, 2008 г.


Содержание

Введение

Задание

Конструирование и технологиятолстопленочных ГИС

Технологический процесс изготовленияГИС

Расчетная часть

Расчет резисторов первого типа

Расчет резисторов второго типа

Расчет резисторов третьего типа

Расчет конденсаторов

Выбор типа корпуса

Заключение

Список литературы

Приложение


Введение

 

Интегральнаямикросхема — этоконструктивно законченное изделие электронной техники, выполняющее определенную функцию преобразования информации исодержащее совокупность электрически связанных между собой электрорадиоэлементов (ЭРЭ), изготовленных в единомтехнологическом цикле.

По способу изготовленияразличают
полупроводниковые и
пленочные интегральные микросхемы. В полупроводниковых интегральныхмикросхемах всеЭРЭ и часть межсоединений сформированы в приповерхностном слоеполупроводниковой (обычно кремниевой) подложки. В пленочных интегральных микросхемах пассивные ЭРЭизготовлены в виде совокупности тонких (менее 1 мкм) или толстых (10-50 мкм)пленок, нанесенных на диэлектрическую подложку.
Гибридные интегральные микросхемы (ГИС) представляет собой комбинациюпленочных ЭРЭ с миниатюрными безкорпусными дискретными приборами(полупроводниковыми интегральными микросхемами, транзисторами, диодами), расположенных на общей диэлектрической подложке.ЭРЭ, которые являютсянеотъемлемой составной частью интегральной микросхемы и не могут быть выделеныиз нее как самостоятельное изделие, называют
элементами интегральной микросхемы, а дискретные активные ЭРЭ ГИС – навесными
компонентами (или просто компонентами), подчеркивая тем самым, что их изготавливаютотдельно в виде самостоятельных приборов, которые могут быть приобретены изготовителем ГИС как покупныеизделия. Вотличие от дискретных компонентов элементы интегральной микросхемы называют интегральными.



Ваше мнение



CAPTCHA