Категория
Коммуникации и связь
Тип
реферат
Страницы
15 стр.
Дата
25.05.2014
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
1028975.zip — 9.43 kb
  • poluprovodnikovye-diody_1028975_1.html — 37.29 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо



Текст работы

ТЕМА 3. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

Полупроводниковыйдиод – это электропреобразовательный полупроводниковый прибор с однимэлектрическим переходом и двумя выводами, в котором используются свойства р-n- перехода.

Полупроводниковыедиоды классифицируются:

1) по назначению: выпрямительные, высокочастотные и сверхвысокочастотные (ВЧ-и СВЧ- диоды), импульсные, полупроводниковые стабилитроны (опорные диоды),туннельные, обращенные, варикапы и др.;

2) по конструктивно – технологическим особенностям: плоскостные и точечные;

3) по типу исходного материала: германиевые, кремниевые, арсенидо — галлиевыеи др.

/>

Рисунок 3.1 –Устройство точечных диодов

В точечном диодеиспользуется пластинка германия или кремния с электропроводностью n- типа (рис.3.1), толщиной 0,1…0,6мм и площадью 0,5…1,5 мм2;с пластинкой соприкасается заостренная проволочка (игла) с нанесенной на нее примесью.При этом из иглы в основной полупроводник диффундируют примеси, которые создаютобласть с другим типом электропроводности. Таким образом, около иглы образуетсяминиатюрный р-n- переход полусферической формы.

Для изготовлениягерманиевых точечных диодов к пластинке германия приваривают проволочку извольфрама, покрытого индием. Индий является для германия акцептором. Полученнаяобласть германия р- типа является эмиттерной.

Для изготовлениякремниевых точечных диодов используется кремний n- типаи проволочка, покрытая алюминием, который служит акцептором для кремния.

В плоскостныхдиодах р-n- переход образуется двумя полупроводниками сразличными типами электропроводности, причем площадь перехода у различных типовдиодов лежит в пределах от сотых долей квадратного миллиметра до нескольких десятковквадратных сантиметров (силовые диоды).



Ваше мнение



CAPTCHA