Категория
Коммуникации и связь
Тип
реферат
Страницы
28 стр.
Дата
18.05.2014
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
1027508.zip — 15.71 kb
  • raschet-i-proektirovanie-mdp-tranzistora_1027508_1.html — 66.63 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо



Текст работы

Содержание

ВВЕДЕНИЕ. 2

1  СВЕДЕНИЯ И ПОНЯТИЯ ОМДП-ТРАНЗИСТОРАХ… 4

1.1 СвойстваМДП-структуры (металл–диэлектрик– –полупроводник). 4

1.2 Типы иустройство полевых транзисторов. 7

1.3 Принципработы МДП-транзистора. 9

1.4 Выбор знаковнапряжений в МДП-транзисторе. 11

1.5 ХарактеристикиМДП-транзистора в области плавного канала. 14

1.6 ХарактеристикиМДП-транзистора в области отсечки. 19

1.7 Влияние типаканала на вольт-амперные характеристики МДП-транзисторов  24

1.8 Эквивалентная схема и быстродействие МДП-транзистора. 26

2  РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ ИХАРАКТЕРИСТИК МДП-ТРАНЗИСТОРА НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ… 29

2.1 Основныесведения об арсениде галлия. 29

2.2 Основные параметры МДП-транзистора. 31

2.3 Расчетпараметров МДП-транзистора. 31

ВЫВОДЫ… 36

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ………………………………………………………36


/>/>/>/> ВВЕДЕНИЕ

 

Среди многочисленных разновидностей полевых транзисторов, возможно,выделить два основных класса: полевые транзисторы с затвором в виде pn переходаи полевые транзисторы с затвором, изолированным от рабочего полупроводниковогообъема диэлектриком. Приборы этого класса часто так же называют МДП-транзисторами(от словосочетания металл-диэлектрик-полупроводник) и МОП транзисторами (отсловосочетания металл-окисел — полупроводник), поскольку в качестве диэлектрикачаще всего используется окись кремния.

Основной особенностью полевых транзисторов, по сравнению сбиполярными, является их высокое входное сопротивление, которое может достигать109 — 1010 Ом. Таким образом, эти приборы можнорассматривать как управляемые потенциалом, что позволяет на их основе создатьсхемы с чрезвычайно низким потреблением



Ваше мнение



CAPTCHA