Категория
Коммуникации и связь
Тип
реферат
Страницы
10 стр.
Дата
18.05.2014
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
1027470.zip — 7.2 kb
  • rabota-bipoljarnyx-tranzistorov-v-mikrorezhime_1027470_1.html — 25.34 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо



Текст работы

МГТУ имени Баумана

Кафедра Микроэлектроники



Пояснительнаязаписка к курсовому проекту

Тема: Работа биполярных транзисторовв микрорежиме.

МОСКВА 2007


Оглавление

 

1. Введение

2. Эффектынизких эмиттерных напряжений

3.Малосигнальные эквивалентные схемы и параметры

4. Заключение

5. Литература

 


1. Введение

Наиболее важное свойство транзистора – свойствоусиливать электрические сигналы. У этого прибора, обычно имеющего три выводавыходное сопротивление отличается от входного.

Усиление в телеполупроводника происходит за счет того, что сравнительно большой токпропускается через область, весьма чувствительную к малым внешним токам илинапряжениям. В биполярном транзисторе регулируемый ток поступает в эмитернуюобласть, проходит сквозь чувствительную область базы и снимается с коллектора.Малые изменения тока базы или напряжения между базой и эмиттером могут вызыватьбольшие изменения тока между эмиттером и коллектором.

Существуют два типабиполярных транзисторов: npn и pnp. Буквы обозначают тип примеси вэмиттерной, базовой и коллекторной областях соответственно. В npn – транзисторе неосновные для базыносители, электроны, должны диффундировать сквозь базовую область p-типа, проникая в коллекторнуюобласть n-типа.

Поведение транзистораприближенно описывается с помощью моделей. Построение моделей преследуетследующие основные цели: объяснить поведение прибора и дать возможность этоповедение предсказать; обеспечить проектирование приборов и схем с заранееизвестными рабочими характеристиками. Любая модель будет



Ваше мнение



CAPTCHA