Категория
Коммуникации и связь
Тип
реферат
Страницы
17 стр.
Дата
03.05.2014
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
1025447.zip — 10.1 kb
  • modeljuvannja-stanv-tranzistora-2t909b_1025447_1.html — 103.32 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо



Текст работы

Міністерство освіти і науки України

Національний технічний університет України

«Київський політехнічний інститут»

Кафедра КЕОА

Розрахунково-графічна контрольна робота

з курсу:

«Моделювання станів транзистора 2Т909Б»

Об’єкт дослідження

Кремнієвий епітаксіально-планарний транзистор n-p-n типу 2Т909Б. Залежність струму колектора (Iк, А) від напруги колектор-емітер (Uке, В) і струму бази (Iб, А).

Структура

n-p-n

Макс. напр. к-е при заданному тоці и заданному сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс), В

60

Максимально допустимий ток к (Iк макс, А)

4

Гранична частота коефіціента передачі тока fгр, МГц

500.00

Максимальна розсіювальна потужність (Рк, Вт)

54

Корпус

KT-15


Мета дослідження

Дослідити характер залежності струму колектора Iквід напруги на колекторно-емітерному переході Uкеі струму бази Іб для вихідних ВАХ транзистора.

Актуальність дослідження

Транзистори широко використовуються в електронних приладах в якості підсилювачів. Вони виготовляються з метою застосування в якійсь конкретній області. Досліджуваний транзистор 2Т909Б (потужний, високочастотний, кремніевий, епитаксиально-планарний, структура n-p-n, використовуеться у широкополосних підсилювачів потужності)

Метод дослідження

Дослідження двофакторного виробничого процесу проводиться за допомогою метода регресійного аналізу. Його особливістю є те, що стан технічної системи описують функцією багатьох аргументів. Числове значення функції – параметр оптимізації Y, що залежить від факторів xi, i = 1, 2 …. m, де m – номер фактора.



Ваше мнение



CAPTCHA