Категория
Коммуникации и связь
Тип
реферат
Страницы
28 стр.
Дата
19.04.2014
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
1021690.zip — 13.05 kb
  • proektirovanie-gibridnyx-integralnyx-mikrosxem-i-raschet-jelementov-uzlov-detektora-svch-s_1021690_1.html — 65.1 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо



Текст работы

РАСЧЁТНО-ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА

на тему:

«Проектирование ГИС и расчет элементов узлов детектора СВЧ сигналов»

Введение

Интегральная микросхема – это конструктивно законченное изделие электронной техники, выполняющее определенную функцию преобразования информации и содержащее совокупность электрически связанных между собой электрорадиоэлементов (ЭРЭ), изготовленных в едином технологическом цикле.

По способу изготовления различают
полупроводниковые и
пленочные интегральные микросхемы. В полупроводниковых интегральных микросхемах все ЭРЭ и часть межсоединений сформированы в приповерхностном слое полупроводниковой (обычно кремниевой) подложки. В пленочных интегральных микросхемах пассивные ЭРЭ изготовлены в виде совокупности тонких (менее 1 мкм) или толстых (10–50 мкм) пленок, нанесенных на диэлектрическую подложку.
Гибридные интегральные микросхемы (ГИС) представляет собой комбинацию пленочных ЭРЭ с миниатюрными безкорпусными дискретными приборами (полупроводниковыми интегральными микросхемами, транзисторами, диодами), расположенных на общей диэлектрической подложке. ЭРЭ, которые являются неотъемлемой составной частью интегральной микросхемы и не могут быть выделены из нее как самостоятельное изделие, называют
элементами интегральной микросхемы, а дискретные активные ЭРЭ ГИС – навесными
компонентами (или просто компонентами), подчеркивая тем самым, что их изготавливают отдельно в виде самостоятельных приборов, которые могут быть приобретены изготовителем ГИС как покупные изделия. В отличие от дискретных компонентов элементы интегральной микросхемы называют интегральными.



Ваше мнение



CAPTCHA