Категория
Коммуникации и связь
Тип
реферат
Страницы
32 стр.
Дата
16.04.2014
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
1020372.zip — 20.62 kb
  • texnologija-izgotovlenija-kristallov-poluprovodnikovyx-integralnyx-mikrosxem_1020372_1.html — 78.93 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо



Текст работы

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ОРЛОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙУНИВЕРСИТЕТ

Кафедра «ПТЭиВС»

 

КУРСОВАЯ РАБОТА

на тему: «
Технология изготовлениякристаллов полупроводниковых интегральных микросхем »

Дисциплина:«Материаловедение и материалы электронных средств»

Выполнил студент группы 31-Р

Козлов А. Н.

Руководитель Косчинская Е. В.

 Орел, 2004

 


Содержание

 

Введение

Часть I. Аналитический обзор

1.1Интегральные схемы

1.2 Требования к полупроводниковым подложкам1.3 Характеристика монокристаллическогокремния1.4 Обоснование применения монокристаллического кремния1.5 Технология получения монокристаллическогокремния1.5.1 Получение кремнияполупроводниковой чистоты1.5.2 Выращивание монокристаллов

1.6 Механическая обработка монокристаллического кремния

1.6.1 Калибровка1.6.2 Ориентация1.6.3 Резка1.6.4 Шлифовка и полировка1.6.5 Химическое травлениеполупроводниковых пластин и подложек

1.7 Операцияразделения подложек на платы

1.7.1 Алмазное скрайбирование1.7.2 Лазерное скрайбирование1.8 Разламывание пластин на кристаллыЧасть II. РасчетЗаключениеСписок используемой литературы

 


Введение

Технология изготовления интегральных микросхем представляетсобой совокупность механических, физических, химических способов обработкиразличных материалов (полупроводников, диэлектриков, металлов), в результатекоторой создается ИС.



Ваше мнение



CAPTCHA