Категория
Коммуникации и связь
Тип
реферат
Страницы
74 стр.
Дата
12.04.2014
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
1018909.zip — 43.18 kb
  • vpliv-leguvannja-cinkom-na-vlastivost-mon-struktur_1018909_1.html — 176.2 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо



Текст работы

Висновки.

4.     Охорона праці.

5.     Економічна частина.

Література.



ВСТУП

Використання напівпровідників велектроніці пройшло довгий шлях –  від першого детектора на кристалі сульфідусвинцю і до сучасної мікро ЕОМ, яка виконана на кремнієвій пластині, площеюменшою 1 см2. Такий результат досягнутий завдяки успіхам технології,яка, в свою чергу, спирається на фізичну електроніку. В наші дні розвитокелектроніки безперервно стимулюється успіхами в області фізики напівпровідниківі в області технології виробництва нових напівпровіднкових структур таоб’єднання їх у великі інтегральні схеми (ВІС).

Підвищення ступеня інтеграції ВІС тапов’язана з цим реалізація граничних розмірів елементів та, відповідно,граничних значень параметрів вимагає якісного вдосконалення практично всіхтехнологічних процесів створення схем. Зокрема, процес окислення повиненвдосконалюватися в напрямку зменшення товщини та дефектності шару оксиду.Перехід від топологічної норми 2 мкм до 0.5мкм вимагає зменшення товщини оксидувід 0.4-0.8 до 0.1 -0.4 мкм, а його пористості від 10 до 1 см-2.

Зі сказаного очевидно, що виробництвовеликих і надвеликих ІМ представить підвищені вимоги до якості вихіднихматеріалів. Водночас, зберегти властивості навіть ідеального злитку в реальномутехнологічному процесі неможливо, так як в кремній вносяться домішки івиникають дефекти. Щоб зменшити вплив цих домішок і дефектів на параметри інадійність мікросхем, в технологічні маршрути вводять спеціальні операціїгетерування, завдяки чому вдається зберегти якість робочих областей приладу назаданому рівні. 

Вирощування легованих плівок SіO2, як відомоз літератури [1], є одним з методів модифікації електричних параметрів як окремих елементів, так і схеми вцілому. Причому, в залежності віднеобхідності досягнення заданих параметрів приладу використовують для легуванняяк стандартні, так і нетипові домішки



Ваше мнение



CAPTCHA