Категория
Коммуникации и связь
Тип
реферат
Страницы
74 стр.
Дата
12.04.2014
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
1018909.zip — 43.18 kb
  • vpliv-leguvannja-cinkom-na-vlastivost-mon-struktur_1018909_1.html — 176.2 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо



Текст работы

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ

НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ“ ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА”

Інституттелекомунікацій, радіоелектроніки та електронної технікиКафедранапівпровідникової електронікиДИПЛОМНА   РОБОТА

Вплив легування цинком на властивості

МОН-структур.

Виконав:

Студент групи ФБЕ-61

Ревула Р.Л.

Науковий керівник:

ст.викл., Логуш О.І.

Консультант з економічної частини:

доц., Мороз Л.Г.

Консультантз охорони праці:

доц., Яцюк Р.А.
  ЛЬВІВ-2002

Зміст

Вступ

1. ЛІТЕРАТУРНИЙ ОГЛЯД

1.1.  Методи вирощування плівок термічного SiO2.

1.2. Основні властивості диоксиду кремнію та меж розділу з напівпровідником таметалом.

1.3      .  Гетеруваннядефектів в технології напівпровідникових  приладів.

2.   МЕТОДИКА ЕКСПЕРИМЕНТУ

2.1.Методика вирощування плівок термічного SiO2 з одночасним легуваннямв процесі росту.

2.2.   Визначення параметрів технологічного процесу.

2.3.     Методика дослідженнядефектності діелектричних плівок.

2.4.   Методика вимірювання  характеристик систем Si-SiO2.

3. РЕЗУЛЬТАТИ ДОСЛІДЖЕНЬ.

3.1. Дослідження пористості плівок термічного SiO2.

3.2Взаємозв’язок структурної досконалості монокристалічної кремнієвої підкладки іплівокSiO2..

3.3.Гетеруюча дія цинку. Оптимізація технологічного процесу за концентрацієюдомішки..

3.4.  Електрофізичні характеристики структур.



Ваше мнение



CAPTCHA