Категория
Коммуникации и связь
Тип
реферат
Страницы
53 стр.
Дата
04.04.2014
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
1015949.zip — 31.6 kb
  • vyrashhivanie-pljonki-gesi-i-caf2-na-kremnievyx-podlozhkax_1015949_1.html — 127.18 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо



Текст работы

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1 Пластическая релаксациянапряжений несоответствия

1.1.1 Прорастающие дислокации идислокации несоответствия

1.1.2 Критическая толщина введениядислокаций несоответствия

1.1.3 Модель энергетического баланса

1.1.6 Движение прорастающихдислокаций в напряженных пленках

1.1.7 Зарождение дислокацийнесоответсвия в напряженных пленках

1.2 Молекулярно-лучевая эпитаксиягетероструктур CaF2/Si

1.2.1 Молекулярно-лучевая эпитаксияCaF2

1.2.2 Влияние технологических режимов на дефектообразование в CaF2

1.2.3 Влияние ориентации подложки наморфологию СaF2

1.2.4 Влияние отжигов на морфологиюи структуру пленок CaF2

2. экспериментальная часть

2.1 Методика проведенияэксперимента

2.1.1 Установка МЛЭ «Катунь»

2.1.2 Рентгеновская дифракция

2.1.3 Атомно-силовая микроскопия

2.1.4 Эллипсометрия

2.1.5 I-V характеристики

2.2 Выращивание плёнок GeSi

2.2.1 Исследуемые образцы

2.2.2 Релаксация пленок

2.2.3 Анализ и обсуждениерезультатов

2.3 Выращивание гетероструктур CaF2/Si

2.3.1 Исследуемыеобразцы

2.3.2 Морфология поверхностигетероструктур

2.3.3 Электрические характеристикиплёнок

3. ОХРАНА ТРУДА И ТЕХНИКАБЕЗОПАСНОСТИ

3.1 Общие положения

3.2 Лица, ответственные забезопасность работы

3.3 Требования к рабочим, обучениеи проверка знаний

3.4 Требования к размещениюэкспериментальных установок и лабораторного оборудования, ввод его вэксплуатацию

заключение

список литературы



Ваше мнение



CAPTCHA