Категория
Коммуникации и связь
Тип
реферат
Страницы
13 стр.
Дата
28.03.2014
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
1012573.zip — 6.05 kb
  • funkcionalnye-ustrojstva-telekommunikacij_1012573_1.html — 29.95 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо



Текст работы

Контрольноезадание №1

Исходныеданные (Вариант №4):

Еп, В 9

I0K, мА

12

U0КЭ, В

4

EГ, мВ

50

RГ, кОм

0,6

fН, Гц

120

fВ, кГц

10 M, дБ 1

tСМИН, оC

tСМАКС, оC

35

Изобразимполную принципиальную схему предварительного каскада элементами связи систочником сигнала и последующим каскадом.

/>

Выберем типтранзистора исходя из заданного режима его работы и частоты верхнего срезаусилителя fВ

Еп=9В; I0K=12мА; fВ=10кГц


Возьмем низкочастотныйтранзистор малой мощности. Например ГТ108А [3]. Это германиевый сплавнойтранзистор p-n-p типа.

Выпишем егоосновные параметры из справочника [3]:

Параметры Режим измерения ГТ108А

h21ЭМИН

UКЭ=-5В; IЭ=1 мА; tС=20 оC

20

h21ЭМАКС

55

СК, пФ

UКБ=-5В; f=465 кГц

50

τК, нс

UКБ=-5В; f=465 кГц

5

fh21Э, МГц

UКЭ=-5В; IЭ=1 мА

0,5

IКБО, мкА

UКБ =-5В; tС=20оC

15

Рассчитаем параметры малосигнальноймодели биполярного транзистора [1].

Среднеезначение коэффициента передачи тока равно:

 />    (1.1)

 
h21Э=33,2.

Выходная проводимость определяется как

/>      (1.2)

 h22Э=1,2*10-4 См.

Здесь UA— напряжение Эрли,равное 70… 150 В у транзисторов типа р-n-р.

Объемное сопротивление области базы rБ можноопределить из постоянного времени τКколлекторного перехода:


/> (1.3)

 rБ=100 Ом



Ваше мнение



CAPTCHA