Категория
Информатика
Тип
курсовая работа
Страницы
27 стр.
Дата
08.01.2014
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
955716.zip — 16.57 kb
  • razrabotka-konstrukcii-i-texnologicheskogo-processa-izgotovlenija-diffuzionnogo-rezistora_955716_1.html — 77.36 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо


Текст работы

Оглавление


1. Исходные данные для проектирования

. Описание и анализ конструкции диффузионного резистора

. Предварительный расчет полупроводникового диффузионного резистора

. Оптимизация конструкции диффузионного резистора

. Разработка основных этапов технологического процесса изготовления диффузионного резистора в составе ИМС

Заключение

Список использованной литературы


1. Исходные данные для проектирования


Разработать конструкцию и выбрать технологический процесс изготовления диффузионного резистора в составе ИМС. Программа выпуска - 50000 шт. в год. Выпуск ежемесячный.

Параметры резистора:

¾
номинал: 500 Ом;

¾
погрешность: ± 10 %;

¾
граничная частота не менее: 450 МГц;

¾
паразитная емкость не более: 0.1 пФ;

¾
выполнить оптимизацию конструкции резистора по критерию «минимальная площадь»;

¾
резистор должен иметь элементы связи с другими ИМС;

¾
материал: КДБ 10;

¾
минимальная ширина окна в окисле под резистор 14 мкм.


. Описание и анализ конструкции диффузионного резистора


Интегральные резисторы - группа резисторов с различными номиналами, изготовленных на общем основании (пассивной подложке, полупроводниковом кристалле) одновременно, в общем технологическом процессе, что осуществляется благодаря общему для всех резисторов резистивному слою, который может быть создан избирательно с помощью масок и трафаретов или нанесен в виде сплошной пленки с последующим избирательным травлением (фотолитографией). Среди интегральных резисторов выделяют следующие разновидности:

§
диффузионные резисторы;



Ваше мнение



CAPTCHA