Категория
Информатика
Тип
дипломная работа
Страницы
21 стр.
Дата
02.01.2014
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
952358.zip — 11.65 kb
  • maloshumjashhij-usilitel-s-ustrojstvom-zashhity-vxoda-ot-prosachivajushhejsja-vysokoj-mosh_952358_1.html — 57.3 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо


Текст работы

МАЛОШУМЯЩИЙ ИНТЕГРАЛЬНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ

Пояснительная записка к курсовому проекту по дисциплине

«Интегральные устройства радиоэлектроники»


МАЛОШУМЯЩИЙ ИНТЕГРАЛЬНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ


. Исходные данные источника сигнала:

.1 Выходное сопротивление 60 Ом

.2 Амплитуда 2 мкВ

. Исходные данные усилителя:

.1 Коэффициент усиления > 25 дБ

.2 Полоса рабочих частот 1-3 ГГц

.3 Сопротивление нагрузки 70 Ом

.4 Питание однополярное +10 В

. Условия эксплуатации:

.1 Температура среды 27
º
С

.2 Влажность относительная 96 % при 27
º
С

. Особые требования:

.1 Реализовать усилитель в бескорпусном однокристальном исполнении

.2 В качестве активных элементов использовать полевые транзисторы с затвором Шоттки (ПТШ) шириной не более 250 мкм

.3 Обеспечить минимизацию дифференциального коэффициента шума в полосе рабочих частот

.4 Минимальный топологический размер (проектная норма) - 0.2 мкм

. Индивидуальное задание:

.1 Исследовать влияние ширины затвора на коэффициент шума и другие характеристики ПТШ

.2 Разработать технологию изготовления кристалла

. Содержание отчета:

Введение, анализ технического задания, проектирование малошумящего полевого транзистора с затвором Шоттки, функциональное проектирование усилителя, разработка конструкции и топологии кристалла, разработка технологии изготовления кристалла, заключение, список литературы, приложения (при необходимости)



Ваше мнение



CAPTCHA