Категория
Информатика
Тип
реферат
Страницы
3 стр.
Дата
16.07.2013
Формат файла
.doc — Microsoft Word
Архив
783615.zip — 59.86 kb
  • opredelenie-parametrov-p-n-perexoda_783615_1.doc — 195.5 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо


Текст работы

Файл 1

Российская коллекция рефератов (с) 1996. Данная работа является неотъемлемой частью универсальной базы знаний, созданной Сервером российского студенчества - .


"МАТИ"-РГТУ

им. К. Э. Циолковского


тема: "Определение параметров p-n перехода"


Кафедра: "Xxxxxxxxxx xxxxxxxxxx

xxxxxxxxxxxxxxxx"


Курсовая работа


студент Хxxxxxxx X. X. группа XX-X-XX


дата сдачи


оценка


г. Москва 2001 год


Оглавление:


1. Исходные данные


3


2. Анализ исходных данных


3


3. Расчет физических параметров p- и n- областей


3


а) эффективные плотности состояний для зоны проводимости и валентной зоны

3


б) собственная концентрация

3


в) положение уровня Ферми

3


г) концентрации основных и неосновных носителей заряда

4


д) удельные электропроводности p- и n- областей

4


е) коэффициенты диффузий электронов и дырок

4


ж) диффузионные длины электронов и дырок

4


4. Расчет параметров p-n перехода


4


a) величина равновесного потенциального барьера

4


б) контактная разность потенциалов

4


в) ширина ОПЗ

5


г) барьерная ёмкость при нулевом смещении

5


д) тепловой обратный ток перехода

5


е) график ВФХ

5


ж) график ВАХ

6, 7


5. Вывод


7


6. Литература


8


1. Исходные данные

1) материал полупроводника - GaAs

2) тип p-n переход - резкий и несимметричный

3) тепловой обратный ток () - 0,1 мкА

4) барьерная ёмкость () - 1 пФ

5) площадь поперечного сечения ( S ) - 1 мм2

6) физические свойства полупроводника


Ширина запрещенной зоны, эВ

Подвижность при 300К, м2/В(с

Эффективная масса

Время жизни носителей заряда, с

Относительная диэлектрическая проницаемость


электронов

Дырок

электрона mn/me

дырки mp/me


1,42-8

0,85-8

0,04-8

0,067-8

0,082-8

10-8

13,1-8


2. Анализ исходных данных

1. Материал легирующих примесей:

а) S (сера) элемент VIA группы (не Me)

б) Pb (свинец) элемент IVA группы (Me)

2. Концентрации легирующих примесей: Nа=1017м -3, Nд=1019м -3

3. Температура (T) постоянна и равна 300К (вся примесь уже ионизирована)

4. - ширина запрещенной зоны

5. , - подвижность электронов и дырок

6. , - эффективная масса электрона и дырки

7. - время жизни носителей заряда

8. - относительная диэлектрическая проницаемость

3. Расчет физических параметров p- и n- областей

а) эффективные плотности состояний для зоны проводимости и валентной зоны


б) собственная концентрация


в) положение уровня Ферми

(рис. 1)


(рис. 2)



(рис. 1)

(рис. 2)

г) концентрации основных и неосновных носителей заряда


д) удельные электропроводности p- и n- областей


е) коэффициенты диффузий электронов и дырок


ж) диффузионные длины электронов и дырок


4. Расчет параметров p-n перехода

a) величина равновесного потенциального барьера


б) контактная разность потенциалов


в) ширина ОПЗ (переход несимметричный --> )


г) барьерная ёмкость при нулевом смещении


д) тепловой обратный ток перехода


е) график ВФХ


- общий вид функции для построения ВФХ


ж) график ВАХ


- общий вид функции для построения ВАХ


Ветвь обратного теплового тока (масштаб)


Ветвь прямого тока (масштаб)

Вывод. При заданных параметрах полупроводника полученные значения удовлетворяют физическим процессам:

- величина равновесного потенциального барьера () равна , что соответствует условию >0,7эВ


- барьерная емкость при нулевом смещении () равна 1,0112пФ т.е. соответствует заданному ( 1пФ )


- значение обратного теплового тока () равно 1,92(10-16А т.е. много меньше заданного ( 0,1мкА )


Литература:

1. Шадский В. А. Конспект лекций "Физические основы микроэлектроники"

2. Шадский В. А Методические указания к курсовой работе по курсу "ФОМ". Москва, 1996 г.

3. Епифанов Г. И. Физические основы микроэлектроники. Москва, "Советское радио", 1971 г.<</p>



Ваше мнение



CAPTCHA