Категория
Биология
Тип
реферат
Страницы
16 стр.
Дата
15.07.2013
Формат файла
.doc — Microsoft Word
Архив
777353.zip — 31.92 kb
  • istochniki-izluchenija-v-integralno-opticheskix-sxemax_777353_1.doc — 61.04 Kb
  • istochniki-izluchenija-v-integralno-opticheskix-sxemax_777353_2.doc — 61.04 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо


Текст работы

РК—5—92

Шашло М.В.

Источники излучения в интегрально-оптических схемах.Характеристики

Светодиоды,их свойства и технология изготовления.

Конструкции полупроводниковых лазерных диодов и светодиодов (СД) , применяемых в ВОСП,

весьма разнообразны.Конструкции СД выбирают с таким расчетом,чтобы уменьшить собственное

самопоглощение излучения,обеспечить режим работы при высокой плотности тока инжекции и увеличить эффективность ввода излучения в волокно.Для повышения эффективности ввода используют микролинзы как формируемые непосредственно на поверхности прибора,так и внешние.

В настоящее время получили распространение две основные модификации СД:поверхностные и торцевые.В поверхностных СД излучение выводится в направлении,перпендикулярном плоскости активного слоя,а в торцевых из активного слоя- в параллельной ему плоскости.Схематическое  изображение конструкции СД обоих типов приведено на рисунке.Для улучшения отвода тепла от активного слоя при высокой плотности токанакачки применяют теплоотводы.

  Вывод излучения в СД поверхностного типа на арсениде галлия осуществляют через круглое от-

верстие,вытравленное в обложке.В это отверстие вставляют оптическое волокно и закрепляют его с помощью эпоксидной смолы.Такую конструкцию светодиода называют диодом Барраса.Известны также конструкции поверхностных СД с выводом излучения непосредственно через подложку.Такие конструкции применяются в СД на четырехкомпонентном соединении GaInAsP.В этом случае подложка из InP является прозрачным окном.



Ваше мнение



CAPTCHA