Категория
Химия
Тип
реферат
Страницы
2 стр.
Дата
06.03.2009
Формат файла
.rtf — Rich Text Format (Wordpad)
Архив
7694.zip — 27.48 kb
  • svojstva-arsenida-indija_7694_1.rtf — 242.65 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо



Текст работы

Московский Государственный x ALEX KIDD
1
Арсенид индия. Свойства, применение. Особенности получения эпитаксиальных пленок.
Введение.
Эпитаксиальный арсенид индия - перспективный материал электронной
техники. Высокая подвижность электронов в арсениде индия прямозонная структура позволяют использовать его для изготовления высокоэффективных электронных и оптоэлектронных приборов, в частности быстродействующих транзисторов и интегральных схем, фотоприемных детекторов ИК - диапазона, инжекционных лазеров с длиной волны 3,5 мкм.
Однако широкое использование тонкопленочных структур арсенида индия сдерживается отсутствием полуизолирующих подложек в
связи с малой шириной запрещенной зоны арсенида индия. Следует также отметить недостаточную механическую прочность материала. Указанные проблемы могут быть преодолены, по крайней мере частично, при гетероэпитаксиальном выращивании арсенида индия. В этом случае, как правило, эпитаксию проводят на подложках арсенида галлия с ориентацией поверхности (001).
Значительное рассогласование параметров решеток
арсенида индия и арсенида галлия 7.4% приводит при получении гетероэпитаксиальных пленок арсенида индия и арсенида галлия методами газотранспортной и жидкофазной эпитаксии к формированию переходного слоя значительной толщины и к большей плотности морфологических и структурных дефектов. Это обусловлено ограничениями как физического характера, присущим данным эпитаксиальным технологиям, так и ограничениям, связанными с “ненаблюдаемостью” процесса роста.
Электрофизические свойства объемного арсенида индия.
Зонная структура арсенида индия.
Зона проводимости.
Арсенид индия является прямозонным полупроводником, у которого зона проводимости сферически симметрична и минимум ее



Ваше мнение



CAPTCHA