Категория
Авиация и космонавтика
Тип
реферат
Страницы
34 стр.
Дата
05.07.2013
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
749525.zip — 21.68 kb
  • jeksperement_749525_1.html — 85.01 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо


Текст работы

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ 1. Высокотемпературная вакуумная печь для спекания керамики SiC Для спекания карбидокремниевой керамики нами была собрана высокотемпературная вакуумная установка, структурная схема которой представлена на рисунке 9. Технические решения, принятые при конструировании и сборке установки позволили добиться всех условий, необходимых для получения высокоплотной керамики на основе

SiC: 1. Большой цилиндрический рабочий объем (80(180мм), ограниченный размерами нагревателя (120(250мм). 2. Двухступенчатая система откачки, позволяющая достижения вакуума до 1,3(10-2 Па 3. Плавная автоматическая регулировка и точное поддержание температуры в зоне роста до 2800 К с использованием систем высокоточного регулирования температуры (ВРТ) и программатора РИФ. 4. Возможность перемещения контейнера с тиглем вдоль оси нагревателя в зоны с ра

зличными градиентами температуры. 5. Система напуска и контроля состава и парциального давления инертных газов в зоне роста. 6. Эффективная система охлаждения рабочей камеры проточной водой. 7. Система автоматической защиты и аварийного отключения. В качестве нагревательного элемента в печи использовалась цилиндрическая труба из плотного графита марки ОСЧ. Для концентрации тепла и создания определенного градиента температуры вокруг нагревателя располаг

алась многослойная система экранирования из графитовой ткани и войлока. Тигель находился внутри плотно закрытого графитового контейнера, устанавливаемого внутри нагревателя. В качестве материала для тигля был выбран плотный графит марки ОСЧ. Рис. 9. Структурная схема высокотемпературной установки для спекания керамических материалов на основе карбида кремния Спекание керамических материалов на основе карбида кремния проводилось в наиболее в



Ваше мнение



CAPTCHA