Категория
Информатика
Тип
реферат
Страницы
7 стр.
Дата
20.06.2013
Формат файла
.doc — Microsoft Word
Архив
693078.zip — 79.03 kb
  • jelementnaja-baza-radiojelektronnoj-apparatury-2_693078_1.doc — 597 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо


Текст работы

Файл 1
Российская коллекция рефератов (с) 1996. Данная работа является неотъемлемой частью универсальной базы знаний, созданной Сервером российского студенчества - .

УПИ - УГТУ

Кафедра радиоприёмные устройства.

Контрольная работа № 2
по дисциплине: " Элементная база радиоэлектронной аппаратуры ".

Вариант № 17
Шифр:

Ф.И.О

Заочный факультет
Радиотехника
Курс: 3

Работу не высылать.
УПИ - УГТУ

Кафедра радиоприёмные устройства.

Контрольная работа № 2
по дисциплине: " Элементная база радиоэлектронной аппаратуры ".

Вариант № 17
Шифр:

Ф.И.О

Заочный факультет
Радиотехника
Курс: 3

Работу не высылать.
Аннотация.

Целью работы является активизация самостоятельной учебной работы, развитие умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых приборов.

Исходные данные:

Тип транзистора ........................................................................... ГТ310Б
Величина напряжения питания Еп ...................................................... 5 В
Сопротивление коллекторной нагрузки Rк .......................................... 1,6 кОм
Сопротивление нагрузки Rн ............................................................. 1,8 кОм

Схема включения транзистора с общим эмиттером, с фиксированным током базы, с резистивно- ёмкостной связью с нагрузкой.

Биполярный транзистор ГТ310Б.

Краткая словесная характеристика:

Транзисторы германиевые диффузионно- сплавные p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные.
Предназначены для работы в усилителях высокой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на этикетке.
Масса транзистора не более 0,1 г..

Электрические параметры.

Коэффициент шума при ? = 1,6 МГц, Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА не более ................ 3 дБ
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала
при Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА, ? = 50 - 1000 Гц ...................................... 60 - 180
Модуль коэффициента передачи тока H21э
при Uкб= 5 В, IЭ= 5 мА, ? = 20 МГц не менее ................................. 8
Постоянная времени цепи обратной связи
при Uкб= 5 В, IЭ= 5 мА, ? = 5 МГц не более .................................. 300 пс
Входное сопротивление в схеме с общей базой
при Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА ............................................................ 38 Ом
Выходная проводимость в схеме с общей базой
при Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА, ? = 50 - 1000 Гц не более .......................... 3 мкСм
Ёмкость коллектора при Uкб= 5 В, ? = 5 МГц не более .............................. 4 пФ

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор- эмиттер:
при Rбэ= 10 кОм ................................................................... 10 В
при Rбэ= 200 кОм .................................................................. 6 В
Постоянное напряжение коллектор- база ................................................ 12 В
Постоянный ток коллектора ............................................................... 10 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т = 233 - 308 К ............ 20 мВт
Тепловое сопротивление переход- среда ................................................ 2 К/мВт
Температура перехода ...................................................................... 348 К
Температура окружающей среды ......................................................... От 233 до
328 К

Примечание. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т = 308 - 328 К определяется по формуле:

PК.макс= ( 348 - Т )/ 2

Входные характеристики.

Для температуры Т = 293 К :

Iб, мкА

200

160

120

80

40

0,05
0,1
0,15
0,2
0,25
0,3
0,35
Uбэ,В

Выходные характеристики.

Для температуры Т = 293 К :

Iк ,
мА

9

8

7

6

5

4

3

2

1

1
2
3
4
5
6
Uкэ,В

Нагрузочная прямая по постоянному току.

Уравнение нагрузочной прямой по постоянному току для схемы включения с общим эмиттером:

Построим нагрузочную прямую по двум точкам:
при Iк= 0, Uкэ= Еп = 9 В, и при Uкэ= 0, Iк= Еп / Rк = 9 / 1600 = 5,6 мА

Iк ,
мА

6

5

4

А

3
Iк0

2

1

1
2
3
4
5
Uкэ0
6
7
8
9
Еп
Uкэ,В

Iб, мкА

50

40

30
Iб0

20

10

0,15
0,17
0,19
0,21
0,23
0,25
0,27
0,29
Uбэ0
0,31
Uбэ,В

Параметры режима покоя (рабочей точки А):
Iк0= 3 мА, Uкэ0= 4,2 В, Iб0= 30 мкА, Uбэ0= 0,28 В
Величина сопротивления Rб:

Определим H-параметры в рабочей точке.

Iк ,
мА

6

5

4

?Iк0

3

?Iк

2

1

1
2
3
4
5
Uкэ0
6
7
8
9
Еп
Uкэ,В
?Uкэ

Iб, мкА

50

40

?Iб

30
Iб0

20

10

0,15
0,17
0,19
0,21
0,23
0,25
0,27
0,29
Uбэ0
0,31
Uбэ,В
?Uбэ

?Iк0= 1,1 мА, ?Iб0 = 10 мкА, ?Uбэ = 0,014 В, ?Iб = 20 мкА, ?Uкэ= 4 В, ?Iк= 0,3 мА

H-параметры:

Определим G - параметры.

Величины G-параметров в рабочей точке определим путём пересчёта матриц:

G-параметр:
G11э= 1,4 мСм, G12э= - 0,4*10 -6

G21э= 0,15 , G22э= 4,1*10 -3 Ом

Определим величины эквивалентной схемы биполярного транзистора.

Схема Джиаколетто - физическая малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема биполярного транзистора:

Величины элементов физической эквивалентной схемы транзистора и собственная постоянная времени транзистора определяются соотношениями (упрощёнными):

Собственная постоянная времени транзистора:

Крутизна:

Определим граничные и предельные частоты транзистора.

Граничная частота коэффициента передачи тока:

Предельная частота коэффициента передачи тока базы в схеме с общим эммитером:
Максимальная частота генерации:

Предельная частота коэффициента передачи тока эммитера в схеме с общим эммитером:

Предельная частота проводимости прямой передачи:

Определим сопротивление нагрузки транзистора и построим нагрузочную прямую.

Сопротивление нагрузки транзистора по переменному току:

Нагрузочная прямая по переменному току проходит через точку режима покоя

Iк0= 3 мА, Uкэ0= 4,2 В и точку с координатами:

Iк= 0, Uкэ= Uкэ0+ Iк0*R~= 4,2 + 3*10 -3 * 847 = 6,7 В

Iк ,
мА

6

5

4

А

3
Iк0

2

1

1
2
3
4
5
Uкэ0
6
7
8
9
Еп
Uкэ,В

Определим динамические коэффициенты усиления.

Iк ,
мА

6

5

А

4

?Iк

3
Iк0

2

1

1
2
3
4
5
Uкэ0
6
7
8
9
Еп
Uкэ,В
?Uкэ

Iб, мкА

50

40

?Iб

30
Iб0

20

10

0,15
0,17
0,19
0,21
0,23
0,25
0,27
0,29
Uбэ0
0,31
Uбэ,В
?Uбэ

?Iк= 2,2 мА, ?Uкэ= 1,9 В, ?Iб = 20 мкА, ?Uбэ = 0,014 В

Динамические коэффициенты усиления по току КI и напряжению КU определяются соотношениями:

Выводы:

Данная работа активизировала самостоятельную работу, развила умение
выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых транзисторов, дала разностороннее представление о конкретных электронных элементах.

Библиографический список.

1) "Электронные приборы: учебник для вузов" Дулин В.Н., Аваев Н.А., Демин В.П. под ред. Шишкина Г.Г. ; Энергоатомиздат, 1989 г..
2) Батушев В.А. " Электронные приборы: учебник для вузов"; М.: Высш.шк., 1980г.
3) Батушев В.А. " Электронные приборы: учебник для вузов"; М.: Высш.шк., 1969г.
4) Справочник " Полупроводниковые приборы: транзисторы"; М.: Энергоатомиздат, 1985г..
5) Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам; М.: Энергия, 1976г..
6) Справочник " Транзисторы для аппаратуры широкого применения "; М.: Радио и связь, 1981г..

1<</p>



Ваше мнение



CAPTCHA