Категория
Информатика
Тип
реферат
Страницы
9 стр.
Дата
13.06.2013
Формат файла
.doc — Microsoft Word
Архив
654705.zip — 127.22 kb
  • sxema-soprjazhenija-datchika-s-isa_654705_1.doc — 4530.5 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо


Текст работы

Файл 1
Российская коллекция рефератов (с) 1996. Данная работа является неотъемлемой частью универсальной базы знаний, созданной Сервером российского студенчества - .
Схемотехника
1. Базовые элементы ТТЛ 155-й серии. Схемы, принцип работы, назначение элементов ИЛИ К155ЛА3 и К155ЛР1.
ТТЛ
Обеспечивает требование быстродействия и потребляемой мощности. В интересах согласования с ЛЭ других типов используются преобразователи уровня в виде схемы с простым инвертором или со сложным инвертором. Для реализации можно использовать диодно-резисторную логику (Шотки) со сложным инвертором.
ЛЭ ТТЛ с простым инвертором
Достоинства
1. Простота технической реализации (на одном кристалле).
2. Малые паразитные емкости, следовательно большое быстродействие.
Недостатки
1. Более низкая помехоустойчивость по сравнению с ДТЛ (U+пом ТТЛ < U+пом ДТЛ, U-пом ТТЛ < U-пом ДТЛ)
2. Малый Kраз (Kраз - число единичных нагрузок, одновременно подключенных к выходу ЛЭ)
Применяется в тех случаях, когда не требуется высокие устойчивость от статических помех и Kраз.
Схема с открытым коллектором.
Можно включать резистор, светодиод, реле, обмотку мощного трансформатора. Схема ТТЛ явл. дальнейшим развитием ДТЛ. Так ДРЛ (диодно-резисторная логика) заменена на МЭТ (многоэмиттерный транзистор) с резистором.
Рис.1
Для реализации операции y=x1x2
Рис.2
Рис.3
База-коллектор VT1 выполняют функцию смещающего диода VD3 с схеме ДТЛ. Эквивалент диода VD4 ДТЛ в схеме ТТЛ отсутствует.
Достоинства
1. Отсутствует сопротивление утечки (в ДТЛ R2).
2. МЭТ обеспечивает рассасывание неосновных носителей из области базы VT2
Условия
1. Положительная логика
2.
3.
1 случай
x1=x2=1, т.е. Ux1=Ux2=U1 ® "1"
МЭТ выполняет следующие функции:
1. Операция "И"
2. Усиление сигнала.
3. VD1, VD2.
4. VD3 в схеме ЛЭ ДТЛ.
VD1 ® (база-эмиттер VT1)х1,
VD2 ® (база-эмиттер VT1)х2.
Диод смещения VD3 ® база-коллектор VT1
Переход база-эмиттер VT1 смещённый в обратном направлении; переход база-коллектор VT1 смещён в прямом направлении, ( режим активный инверсный
Uк-э МЭТ " 0,1 В
Uа = Uб-к VT1 о + Uб-эVT2 о - Uк-эVT1 " 1,5 В
VT2, R2 реализуют "НЕ". Принцип такой же, как в ДТЛ (VT2 открыт, насыщен. Rвых мало (" 5..40 Ом) ( Uy = U0 " 0,2В
2 случай
Ux1 = 0,2В Ux2 = 4В
(Up - Un)VT1 x1 = UИП - Ux1 =5 - 0,2 = 4,8В
Открыт, т.о. Ua = Uб-эVT1 x1 откр. + Ux1 = 0,8 + 0,2 = 1В
Для того, чтобы открыть VT1б-к и VT2э-б требуется
VT2 закрыт.
МЭТ находится в открытом и насыщенном состоянии. Режим активный и насыщенный.
ЛЭ ТТЛ-типа серии К155
1. Краз мало в ТТЛ с простым инвертором
2. Rвых " Rк VT
Для устранения недостатка применяют ТТЛ со сложным инвертором.
Рис.4 ЛЭ ТТЛ-типа со сложным инвертором.
Состав схемы
1. На VT1 МЭТ и R1 собран коньюнктор .
2. Сложный инвертор (VT2-VT5, R2-R5).
3. Демпфирующий диод VD3.
Сложный инвертор включает в себя:
1. VT2 c R2, R3, R4, VT5. С одной стороны фазоразделительный каскад с корректирующей цепочкой VT5, R3, R4.
2. Выходной каскад (VT3, VT4, VD3, R5).
a) Эмиттерный повторитель на VT3 (ЭП).
b) Инвертор на VT4.
Назначение VD1, VD2.
Это так называемые демпфирующие диоды - для шунтирования (на корпус) сигнала отрицательной полярности с уровнем более 0,6В. При положительной логике уровни сигналови при UИП = +5В.
1. Входные цепи имеют паразитное С и паразитное L.
2. Наводки (наведённые статические помехи).
Первые создает колебательный контур (к/к)
Рис. 5
В момент окончания сигнала (Ua - Uk)VD1,2 = 0 - (-0,8) = 0,8В > UVD3 = 0,6В
( VD1 открыт и ( RVD О = Rпр = 5..20 Ом и устраняется отрицательная полярность в помехе. Положительная помеха влияния не оказывает вследствие своей малости.
МЭТ
VT1, R1 предназначены для реализации операции "И". Он представляет собой диодную сборку. Сравним с ДТЛ
1. (б-э)х1 ® VD1 (ДТЛ).
(б-э)х2 ® VD2 (ДТЛ).
(б-к)VT1 ® VD3 (диод смещения ДТЛ)
2. Выполняет операцию усиления.
3. При закрывании VT2 c области базы (p) осуществляется рассасывание неосновных носителей ( VT1 заменяет Rутечки, включенную в цепь базы транзистора VT1 ДТЛ (R3).
Режим работы транзистора VT1
1. Режим насыщения.
2. Активный инверсный.
1. Происходит в случае воздействия на вход сигнала низкого уровня. В этом случае б-э смещаются в прямом направлении, R мало, транзистор открыт и насыщен; б-к смещен в обратном направлении, но открыт.
2. Если на x1 и x2 подана "1", то б-э смещены в обратном направлении, R велико, а б-к смещен в прямом направлении (R мало).
Рассмотрим назначение VT2
Если замкнуть R3 на корпус и сделать два разрыва (как показано на рис.4). VT2 предназначен для управления VT3 и VT4. В насыщенном состоянии ток IэVT2=Iк+Iб (IнVT2 < IнVT4). Если в точке k "-", то в точке с "-".
VT3(ЭП)
ЭП имеет Rвых малое при любой нагрузке в эмиттерной цепи. Rвых при выключенном ЛЭ также мало. В случае воздействия на вход "0" закрывается VT3. Этим исключается возможность протекания сквозного тока от источника питания через открытые VT3 и VT4. В случае открытого VT3 VD3 закрывается, т.е. отсутствует недостаток простого инвертора, т.е. мощность потребления меньше.
1 случай
U1 = U2 = U1 ® "1"
(б-э)VT1 смещены в обратном направлении.
(б-к)VT1 смещён в прямом направлении. ( VT1 работает в активном инверсном режиме. Потенциал т. а достаточен, чтобы открыть переход (б-к)VT1, (б-э)VT2, (б-э)VT5 и (б-э)VT4.
При открытом p-n переходе
VT2 открыт и насыщен
Ток протекает по цепи: "+"ИП ® R2 ® (к-э)VT2о.н. ® R3 ®VT5 ® корпус
( R4 (
VT4 открывается напряжением Uc. Оно создается после открытия VT2 и VT5 током эмиттера VT2.
Корректирующая цепочка предназначена для защиты от статических помех (для увеличения ) по сравнению с ЛЭ без корректирующей цепочки за счет изменения формы. В интересах повышения помехоустойчивости используется VT2 (это VD4 в схеме ДТЛ)
(б-э)VT1 ® VD4 ДТЛ
(б-э)VT2 ® VD3 ДТЛ
Uколлектора насыщения VT4=0,1В
2 случай
Если на один из входов подать уровень напряжения, соответствующим логическому "0", то через переход (б-э)VT1 ток протечет по цепи: "+"ИП ® R1 ® (б-э)VT2 ® X1 ® корпус
Ua = U(б-э)откр.VT1 + UX1 = 0,8 + 0,2 = 1В
Uk = Ua - U(к-э)VT1 = 1 - 0,1 = 0,9В
VT2-VT4 - закрыты
При VT2 закрытом Uб " UИП = 5В. VT3, VD3 открыты, ( Uy = UИП - U(б-э)VT3 - UVD3о = = 5-1,6 = 3,4В
Параметры ТТЛ со сложным инвертором
Основным параметром в статическом режиме является , , Рпот.ср. (средняя потребляемая мощность).
на VT3 мало ( Kраз высок!
Рис. 6
при X2
ЛЭ включен, т.е. VT2 и VT4 открыты и насыщены. VT3 и VD3 закрыты.
При Uвых = U0 (
ЛЭ ТТЛ-типа с открытым коллектором
Применение: в случае включения в выходной каскад таких компонентов, как реле, светодиод, трансформатор и т.д. и в случае включения резистора в коллекторную цепь с подачей более высокого напряжения питания (до 30В).
Рис.7
ЛЭ ТТЛ-типа с 3-мя состояниями выхода
Roff - высокое выходное сопротивление
Рис.8
Фрагмент таблицы истинности:
X1
X2
X3
Y
1
1
1
Roff
1
1
Состав схемы:
1. Коньюнктор (VT1, R1). В точке 1 .
2. Сложный инвертор с корректирующей цепочкой: фазоразделительный каскад, корректирующая цепочка, ЭП.
Кроме этих компонентов в схему включены VT6, R6, R7. Коллекторная цепь VT6 включена в коллекторную цепь VT2 в точке а. Это необходимо для реализации третьего состояния схемы. Рассмотрим принцип работы с использованием таблицы истинности. Пусть на входах высокий уровень (1 поз. таблицы). В этом случае VT6 открыт и насыщен. Сопротивление VT6 мало (составляет rвых VT6 = rн =5..20 Ом). Из этого следует, что U(к-э)нVT6 ( 0,2В. ( Ua = 0,2В. Определим, какое U в т.1 Uк = UбVT2. VT1 - активный инверсный режим. U1 > Ua ( VT2 - активный инверсный режим. Ток течет по цепи:
"+"ИП ® R1 ® б-к VT1® б-к VT2 ® к-э VT6 ® корпус ® "-"ИП.
U1 = U(б-к)оVT2 + U(к-э)насVT6 = 1В
В этом случае закрыт VT5. Дальше цитата Тимошенко В.С.: "А в каком же состоянии VT4 и VD1? Да они же закрыты!!!". ( на выходе высокое сопротивление Roff.
2 позиция таблицы. VT6 закрыт, Rк-э высокое.
Вывод: в случае подачи на вход X3 U0 при положительной логике VT6 закрыт и схема ЛЭ может иметь 2 состояния - включенное и выключенное.
Базовые ЛЭ ЭСЛ-типа 500-ой серии.
Достоинства: ЛЭ ЭСЛ-типа применяются в быстродействующих устройствах, т.к. она (ЭСЛ) имеет малое tздр (время задержки). Это обусловлено:
(1), где Uл - логический перепад. (Примечание. Для ТТЛ с простым инвертором )
Если в (1) при Cн = const уменьшить Uл, то tздр уменьшается.
ЛЭ ЭСЛ имеет малый уровень логического перепада, дост. Большой ток зарада Cпар, ( длительность положительного перепада схемы мала. Рассмотрим состав, принцип работы и назначение элементов схемы. При положительной логике U1 = - 0,9В, U0 = - 1,7В, опорное напряжение .
"ИЛИ-ИЛИ-НЕ"
Рис.9
1. Токовый переключатель.
2. Источник опорного напряжения.
3. Эмиттерные повторители.
1. VT1, VT2 - левое плечо дифференциального усилителя.
R1, R2, R5
R3, R4 - сопротивления утечки.
На б VT1 и VT2 подаются входные сигналы.
На б VT3 поступает опорное напряжение -1,3В.
Uл = U1 - U0 = 0,8В
2. Делитель R7R8, диоды VD1 и VD2, ЭП VT4R6, VT3.
3. VT5R9 (R9 и R10 в схему ЛЭ в интегральном исполнении не входят).
VT6R10
U(б-э)оVT5,6 = 0,8В
Работа
X1 = X2 = 0
U1 = - 0,9В
U0 = - 1,7В
Uоп = -1,3В
VT1 и VT2 закрыты. Iк1,2 = 0. VT3 открыт. При этом Uc=-(Uоп) + (-U(б-э)VT3) = (-1,3) + (-0,75) = = -2,05В
Что с VT3? Проверим: (Uб - Uэ)VT3 = (-1,3) - (-2,05) = 0,75 - он открыт.
(Uб - Uэ)VT1,2 = (-U0) - (-Uc) = (-1,7) - (-2,05) = 0,35В < Uэз = 0,6В ( VT1,2 - закрыты.
Т.к. через R1 при закрытых VT1 и VT2 протекает ток IбVT5 (ЭП) по цепи:
"+"ИП ® R1 ® б-э VT5® R9 ® "-"ИП
Режим работы VT5 подобран так, что он всегда открыт и через него течет ток:
"+"ИП ® R1 ® к-э VT5 ® R9 ® "-"ИП
Uб-эVT5o = -0,8В
Uy1 = (Ua + Uб-эVT5) = (-0,1) + (-0,8) = -0,9В ® U1 = - 0,9В
Uc = Uб-эVT3o + Uоп = (-0,75) + (-1,3) = -2,05В
через R2 протекает ток IкVT3, IбVT6. Т.о. создается напряжение Uб = (IкVT3 + IбVT6) R2 = -0,9В
Uy2 = Uб + Uб-эVT6o = (-0,9) + (-0,8) = -1,7В
ИЛИ-НЕ В этом случае y2 = "0"
ИЛИ y1 = "1"
X1 = X2 = 1
В этом случае VT1,2 открыты, но ненасыщены ( отсутствует избыточность зарядов в цепи базы ( tздр мало.
VT3 закрыт
Uc = UX1,2 + Uб-эVT1,2o = (-0,9) + (-0,75) = -1,65В. Через R2 протекает только Iб.
y1 = "0"
y2 = "1"
Источник опорного напряжения предназначен для создания стабильного напряжения (-1,3В). Включаются R7, R8.
Т.к. температура изменяется, то требуется температурная компенсация VD1,2, VT4, R6
VD1,2 - для термокомпенсации (для обеспечения пропорционального изменения тока делителя). В точке d в зависимости от toC меняется потенциал.
Работа источника опорного напряжения (ИОН).
Если соединить базу VT3 с точкой d и убрать VD1,2 (закоротить), т.е. исключить VT4 (ЭП) и R6, чтобы мы имели .
Когда VT3 открыт, то имеем недостаток: через R7 кроме Iдел протекает IбVT7 (
(Iдел + IбVT3) R7 = , IбVT3 = I ( to )
Как видно, постоянство опорного напряжения на базе VT3 не обеспечивается. Для ликвидации этого недостатка вкл. VT4R6. Тогда через делитель R7R8 всегда протекает ток равный Iдел + IбVT4. Но и в этом случае не обеспечивается стабильность напряжения, т.к. IбVT4 = I ( to ). Существует необходимость ввести диоды VD1,2, в которых R меняется в зависимости от изменения to ( изменяется ток Iдел. Этим компенсируется изменение токов IбVT4 и IбVT3 от температуры и обеспечивается температурная стабилизация.
Определим потенциал т. d.
Т.к. UбVT3 = Ud + Uб-эVT4, то
Ud = -Uб-эVT4 + UбVT3 = -(Uоп) - (-Uб-эVT4) = -1,3 - (-0,75) = -0,55В
(Uоп<</p>



Ваше мнение



CAPTCHA