Категория
Информатика
Тип
курсовая работа
Страницы
12 стр.
Дата
12.06.2013
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
646131.zip — 7.23 kb
  • raschjot-parametrov-poluprovodnikovyx-priborov_646131_1.html — 32 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо


Текст работы

Расчёт параметров полупроводниковых приборов


1. Расчетное задание 1


Дано: площадь A = 65*65 мкм 2 , толщина области n-типа W n = 45 мкм, р-типа - W р = 325 мкм. При температуре Т = 300 К удельное сопротивление р-области ? р = 3,25 Ом·см, удельное сопротивление n-области ? n = 0,06 Ом·см, время жизни неосновных носителей ? n= ? р =0,02 мкс.

Величина контактной разности потенциалов определяется формулой:


. (1.1)


Собственная концентрация свободных носителей для Т = 300 К .Проводимость полупроводника обратно пропорционально его удельному сопротивлению (которое нам дано):


(1.2)


В области примесной проводимости, где концентрация основных носителей на много выше концентрации неосновных, именно концентрация и подвижность основных носителей заряда и определяет электрическую проводимость полупроводника.

С учетом этого можно записать следующую формулу:


? ?, (1.3)


где q = 1,6 · 10 -19 Дж - элементарный заряд, n n0 - равновесная концентрация электронов в n-области, а ? n - дрейфовая подвижность электронов.

В рабочем диапазоне температур практически все атомы примеси ионизированы, и пренебрегая собственной концентрацией n i электронов (поскольку в рабочем диапазоне она существенно меньше концентрации примеси) можно считать, что концентрация электронов n-области равна концентрации доноров в этой области:


(1.4)


Приравниваем правые части формул (1.2) и (1.3) и подставляем в них (1.4). Выражаем формулу для Nap


(1.5а)


Аналогичное выражение получается для :


, (1.5б)


В качестве нулевого приближения для концентрации доноров в n - области и концентрации акцепторов в p - области воспользуемся графиком [1, с 64].

При ? n = 0,06 = 6*10 -2 (Ом*см),



Ваше мнение



CAPTCHA