Категория
Информатика
Тип
курсовая работа
Страницы
11 стр.
Дата
28.05.2013
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
634504.zip — 7.52 kb
  • proektirovanie-diskretnogo-tranzistora_634504_1.html — 28.25 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо


Текст работы

СОДЕРЖАНИЕ


  1. ВВЕДЕНИЕ
  2. АНАЛИЗ ТЕХНИЧЕСКОГО ЗАДАНИЯ
  3. УКРУПНЕННЫЙ ТЕХ. ПРОЦЕСС ИЗГОТОВЛЕНИЯ
  4. РАСЧЕТ ОСНОВНЫХ ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРА
  5. ЗАКЛЮЧЕНИЕ
  6. СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

ПРИЛОЖЕНИЕ


. ВВЕДЕНИЕ


Бурное развитие полупроводниковой электроники началось в конце 50-х годов. В настоящее время без полупроводниковой электроники немыслимы освоение космоса и океанских глубин, атомная и солнечная энергетика, радио и телевещание, компьютеризация и автоматизация, исследования.

Появление микроэлектроники связано с достижениями в области фундаментальных и прикладных наук. Первые интегральные микросхемы, созданные в начале 60-х годов в результате успехов в области полупроводниковой и пленочной электроники, постоянно совершенствовались и в настоящее время являются элементной базой для микро миниатюризации радиоэлектронной аппаратуры.

Основное достоинство микроэлектронной технологии - групповые интегральные методы технологии , основанные на локально - структурных преобразованиях полупроводникового материала.

Особенностью современного этапа развития промышленной электроники является все более тесная интеграция ее с электроникой и микроэлектроникой. Изделия полупроводниковой электроники образуют элементную базу вычислительной техники, автоматики, радиоэлектроники и силовой преобразовательной техники.

Широкое внедрение полупроводниковой электроники во все сферы деятельности человека выделило ее в самостоятельный раздел науки и техники широким спектром областей знаний, каждая из которых сложна для изучения, а взаимосвязи между областями являются еще более сложными. Для успешного схемотехнического проектирования инженеру необходимо обладать неким «интегрированным знанием» из различных областей науки и техники, охватывающих вопросы полупроводниковых материалов, проектирования и производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Для глубокого понимания работы полупроводникового прибора необходимо уметь выражать его основные электрические параметры через концентрацию примесей, вертикальную геометрию, топологию и т. д.



Ваше мнение



CAPTCHA