Категория
Информатика
Тип
реферат
Страницы
20 стр.
Дата
29.04.2013
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
468920.zip — 13.2 kb
  • jelektronno-dyrochnye-geteroperexody-i-ix-otlichija-ot-gomoperexodov_468920_1.html — 47.02 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо


Текст работы

Реферат

"Электронно-дырочные гетеропереходы и их отличия от
гомопереходов"


Гетеропереход


Контакт двух различных по химическому составу полупроводников. На
границе раздела ПП обычно изменяются ширина запрещённой зоны, подвижность носителей
заряда, их эффективные массы и др. характеристики. В «резком» Г. изменение св-в
происходит на расстоянии, сравнимом или меньшем, чем ширина области объёмного
заряда (см. ).
В зависимости от легирования обеих сторон Г. можно создать р – n-Г.
(анизотипные) и n-Г. или р – р-Г. (изотипные). Комбинации разл. Г. и
монопереходов образуют гетероструктуры.

Образование Г., требующее стыковки крист. решёток, возможно
лишь при совпадении типа, ориентации и периода крист. решёток сращиваемых
материалов. Кроме того, в идеальном Г. граница раздела должна быть свободна от
структурных и др. дефектов (дислокаций, точечных дефектов и т.п.), а также от
механич. напряжений. Наиболее широко применяются монокристаллич. Г. между
полупроводниковыми материалами типа AIIIBV и их твёрдыми растворами на основе
арсенидов, фосфидов и антимонидов Ga и Al. Благодаря близости ковалентных
радиусов Ga и Al изменение хим. состава происходит без изменения периода
решётки. Гетероструктуры получают также на основе многокомпонентных (четверных
и более) тв. растворов, в к-рых при изменении состава в широких пределах период
решётки не изменяется. Изготовление монокрист. Г. и гетероструктур стало
возможным благодаря развитию методов эпитаксиального наращивания ПП кристаллов
(см. ).



Ваше мнение



CAPTCHA