Категория
История
Тип
реферат
Страницы
12 стр.
Дата
25.04.2013
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
449338.zip — 7.59 kb
  • fotojelementy_449338_1.html — 28.69 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо


Текст работы

Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках

В современной электронной технике широко используются полупроводниковые приборы, основанные на принципах фотоэлектрического и электрооптического преобразования сигналов. Первый из этих принципов обусловлен изменением электрофизических свойств вещества в результате поглощения в нем световой энергии (квантов света). При этом изменяется проводимость вещества или возникает э. д. с., что приводит к изменениям тока в цепи, в которую включен фоточувствительный элемент. Второй принцип связан с генерацией излучения в веществе, обусловленной приложенным к нему напряжением и протекающим через светоизлучающий элемент током. Указанные принципы составляют научную основу оптоэлектроники – нового научно-технического направления, в котором для передачи, обработки и хранения информации используются как электрические, так и оптические средства и методы.


Все многообразие оптических и фотоэлектрических явлений в полупроводниках можно свести к следующим основным:


– поглощение света и фотопроводимость;


– фотоэффект в p-n переходе;


– электролюминесценция;


– стимулированное когерентное излучение.


Фотопроводимость. Фоторезистивный эффект


Явлением фотопроводимости называется увеличение электропроводности полупроводника под воздействием электромагнитного излучения.


При освещении полупроводника в нем происходит генерация электронно-дырочных пар за счет переброса электронов из валентной зоны в зону проводимости. Вследствие этого проводимость полупроводника возрастает на величину


Ds = e (mn Dni + mp Dpi), (1)


где e – заряд электрона; mn – подвижность электронов; mp – подвижность дырок; Dni – концентрация генерируемых электронов; Dpi – концентрация генерируемых дырок.



Ваше мнение



CAPTCHA