Категория
Информатика
Тип
дипломная работа
Страницы
43 стр.
Дата
19.04.2013
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
417127.zip — 22.08 kb
  • metodika-rascheta-i-optimizacii-jacheek-pamjati-nizkovoltovyx-posledovatelnyx-jesppzu_417127_1.html — 91.13 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо


Текст работы

ОГЛАВЛЕНИЕ


1 ВВЕДЕНИЕ

2 ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ

2.1 Элементы СППЗУ

2.1.1 Элементы ЭСППЗУ,
программируемые с помощью туннельного эффекта

3 МОДЕЛИРОВАНИЕ ЯЧЕЙКИ ЭСППЗУ

3.1 Упрощенная модель ячейки памяти

3.1.1 Расчет V tun

3.1.2 Расчет пороговых напряжений

3.1.3 Зависимость порогов от времени
записи/стирания

3.2 Полная модель ячейки

3.2.1 Расчет плавающего затвора и
потенциалов канала

4 ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ

4.1 Запоминающая ячейка

4.1.1 Методика исследования
элементной базы ЭСППЗУ

4.2 Результаты исследования
элементной базы

4.2.1 Исследование характеристик
туннельного окисла

4.2.2 Эквивалентная схема замещения
туннельного окисла

4.2.3 Построение и расчет ячейки
ЭСППЗУ

5 ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЕ ОБОСНОВАНИЕ
ПРОЕКТА

5.1 Краткая характеристика
проведенной работы

5.2 Методика определения сметной калькуляции
и цены на ОКР

5.3 Расчет сметной калькуляции,
плановой себестоимости и цены на ОКР

6 ОХРАНА ТРУДА И ЭКОЛОГИЧЕСКАЯ
БЕЗОПАСНОСТЬ

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

1.
ВВЕДЕНИЕ


Запоминающие устройства
имеют очень широкое применение в самых различных областях электроники,
вычислительной техники, контрольно-измерительного оборудования. Они
присутствуют везде где необходимо запоминание и хранение любого вида
информации. ЭСППЗУ являются одной из разновидностей запоминающих устройств и по
своим специфическим особенностям они составляют основу блоков электронной
аппаратуры, кредитных и телефонных карточек, устройств где необходимо хранить
информацию с отключением источника питания.



Ваше мнение



CAPTCHA