Категория
Информатика
Тип
курсовая работа
Страницы
26 стр.
Дата
17.04.2013
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
405488.zip — 13.91 kb
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо


Текст работы

Задание на курсовое проектирование


Тема: Основы проектирования интегральных микросхем широкополосного
усилителя

Срок представления проекта к защите –

Исходные данные для проектирования

Схема электрическая принципиальная, таблица электрических
параметров элементов усилителя


Содержание пояснительной записки курсового проекта:

Выбор физической структуры полупроводниковой ИМС на БП-транзисторах

Расчёт геометрических размеров элементов ИМС

Разработка эскиза топологии ИМС широкополосного усилителя

Перечень графического материала:

Эскиз топологии ИМС широкополосного усилителя

Руководитель проекта _________________________

Задание принял к исполнению ________________________


Реферат


Пояснительная записка содержит 30 страниц, 3 рисунка, 4
использованных источников, 1 приложение.

Перчень ключевых слов: принципиальная схема,
широкополосный усилитель, расчет геометрических размеров, эскиз топологии.

Объект разработки: топология ИМС широкополосного
усилителя.

Цель работы: расчет геометрических размеров элементов
схемы усилителя, конструирование эскиза топологии.

Методы разработки: конструирование эскиза топологии с
помощью пакета программ AutoCAD.

Полученные результаты: библиотека элементов усилителя,
эскиз топологии в формате AutoCAD.

Степень внедрения: не внедрено.

Область применения: не применяется.

Основные конструктивные и технико-эксплуатационные
характеристики: количество слоев в кристалле – 6, количество элементов в
принципиальной схеме –20 элементов, из них: 9 n-p-n транзистора, 9 резисторов.




Ваше мнение



CAPTCHA