Категория
Информатика
Тип
дипломная работа
Страницы
7 стр.
Дата
16.04.2013
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
400040.zip — 5 kb
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо


Текст работы

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОНИКИ И МАТЕМАТИКИ

(Технический университет)



Курсовая работа

по дисциплине "Электроника и электротехника"



Выполнила:

студентка группы С-45

Сотова Юлия

Преподаватель:

Самбурский Л.М.



Москва 2011

Задание


Дано:

И-НЕ схема на n-МОП транзисторах

Минимальный размер - 3 мкм.

Толщина окисла - 50 нм.



Требуется:

. Описать принцип работы схемы.

. Выбрать и описать технологию изготовления схемы.

. Нарисовать топологию и разрез элементов схемы.

. Рассчитать параметры элементов схемы.

. С помощью программы P-Spice рассчитать:

передаточную характеристику схемы;

переходную характеристику схемы;

статическую и динамическую мощности, потребляемые схемой.

. Нарисовать топологию всей схемы.

. Сравнить с аналогами, выпускаемыми промышленностью.


1. Принцип работы схемы


Таблица истинности для логического элемента И-НЕ:


Вход1Вход2Вход3Выход00010011010101111001101111011110

Для логических схем на -МОП транзисторах уровень логического нуля приблизительно равен нулю, а уровень логической единицы - меньше чем Eпит. Сток и затвор верхнего нагрузочного транзистора подключены к питанию, поэтому всегда выполняется неравенство


,




Ваше мнение



CAPTCHA