Категория
Информатика
Тип
контрольная работа
Страницы
43 стр.
Дата
12.04.2013
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
378348.zip — 10.06 kb
  • modeljuvannja-stanv-tranzistora-2t909b_378348_1.html — 81.97 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо


Текст работы

Міністерство освіти і науки України

Національний технічний університет України

«Київський політехнічний інститут»

Кафедра КЕОА


Розрахунково-графічна контрольна робота

з курсу:

«Моделювання станів транзистора 2Т909Б»


Об’єкт дослідження


Кремнієвий епітаксіально-планарний транзистор n-p-n типу 2Т909Б.
Залежність струму колектора (I к, А) від напруги колектор-емітер (U ке,
В) і струму бази (I б, А).


Структура

n-p-n

Макс.
напр. к-е при заданному тоці и заданному сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В

60

Максимально
допустимий ток к (Iк макс,А)

4

Гранична
частота коефіціента передачі тока fгр,МГц

500.00

Максимальна
розсіювальна потужність (Рк,Вт)

54

Корпус

KT-15




Ваше мнение



CAPTCHA