Категория
Информатика
Тип
контрольная работа
Страницы
7 стр.
Дата
12.04.2013
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
378252.zip — 5.03 kb
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо


Текст работы

Содержание


1.Задание

2.Краткие теоретические сведения

.Расчеты

Заключение

Литература



1. Задание


Оптимизировать процесс напыления материала в магнетронной системе распыления: определить расстояние от поверхности мишени, на котором можно получить заданную толщину напыляемой пленки с требуемой неравномерностью при максимально возможной скорости напыления.


Таблица 1. Вариант задания

№ вариантаМатериалТолщина пленки, мкмДиаметр пластины, ммНеравно-мерность, ± %Радиус распыления, смТок разряда, А4Cu0,310036,57

Примечание: 1. Рабочий газ - Ar.

2. Ширина кольца распыления - 0.5 см.


2. Краткие теоретические сведения

магнетронный распыление ионный испаритель

Какой эффект лежит в основе магнетронного распыления материалов?

Метод магнетронного распыления материалов является разновидностью ионно-плазменного распыления. Распыление материала в этих системах происходит за счет бомбардировки поверхности мишени ионами рабочего газа. Скорость распыления в магнетронной системе в 50 ¼ 100 раз выше по сравнению с обычным ионно-плазменным распылением. Высокая скорость распыления материала в магнетронной системе распыления определяется высокой плотностью ионного тока на мишень. Высокая плотность ионного тока достигается за счет локализации плазмы у поверхности мишени с помощью сильного поперечного магнитного поля.

Из каких основных элементов состоит магнетронная система распыления?

Рис. 1. Схема магнетронной системы распыления:



Ваше мнение



CAPTCHA