Категория
Информатика
Тип
курсовая работа
Страницы
34 стр.
Дата
12.04.2013
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
373746.zip — 21.83 kb
  • molekuljarno-luchevaja-jepitaksija_373746_1.html — 87.13 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо


Текст работы

СОДЕРЖАНИЕ


Введение

. Основные положения процесса молекулярно-лучевой эпитаксии

. Устройство установки и принципы действия

.1 Рабочий объем

.2 Эффузионные ячейки

.3 Картины на экране ДБЭ

.4 Подготовка подложки

. Применение

Заключение

Список использованных источников



ВВЕДЕНИЕ


Работы по исследованию искусственно созданных полупроводниковых сверхрешеток были инициированы идеей о создании одномерной периодической структуры чередующихся сверхтонких слоев, высказанной в 1969 г. Эсаки и Цу. Изготовление подобной кристаллической структуры из сверхтонких слоев представляло в то время необычайно сложную задачу[1]. Выбор метода изготовления наноструктур определяется требуемой точностью воспроизведения заданного химического состава и толщин слоев. Из опыта известно, что в обычном высоком вакууме 10 -6 Торр атомарно чистая поверхность покрывается монослоем из адсорбированных молекул за несколько секунд. Поэтому для контроля процесса нанесения на уровне монослоев необходимы:

) сверхвысокий вакуум, то есть остаточное давление порядка 10 -10 Торр;

) особо тщательная очистка подложек от окисных пленок;

) особо чистые исходные материалы;

) "измельчение" частиц в осаждаемом пучке до размера отдельных молекул;

) контроль за атомной структурой растущих наноструктур в реальном режиме времени.

Только метод молекулярно - лучевой эпитаксии (МЛЭ) удовлетворяет всем этим требованиям. Поэтому, несмотря на дороговизну, он широко применяется при изготовлении наноструктур[2].





Ваше мнение



CAPTCHA