Категория
Информатика
Тип
лекция
Страницы
16 стр.
Дата
11.04.2013
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
371641.zip — 8.95 kb
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо


Текст работы

ТЕМА 1: ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

 

1.1
 Полупроводниковые
материалы

Все твердые вещества по своим электрическим свойствам
разделяют на проводники, полупроводники и диэлектрики.

Полупроводники занимают по электропроводности
промежуточное положение между металлами (проводниками электрического тока) и
диэлектриками. Удельное электрическое сопротивление проводников составляет               ρ
= 10 -4 Ом ∙ см, полупроводников – ρ = 10 -4
10 10 Ом ∙ см, диэлектриков –         ρ = 10 10
Ом ∙ см и выше.

Для изготовления полупроводниковых приборов в
настоящее время используют помимо германия и кремния некоторые химические
соединения, например арсенид галлия, окись титана, антимонид индия, фосфид
индия и др. Наиболее широко применяют кремний и германий.

Германий и кремний – элементы четвертой группы
периодической системы Д.И. Менделеева, т.е. являются четырехвалентными
элементами. В валентной зоне каждого атома германия и кремния имеется по четыре
валентных электрона. Германий и кремний имеют атомные кристаллические решетки.
Связь между атомами в таких решетках парноэлектронная или ковалентная. Каждый
атом в них связан с соседним двумя электронами – по одному от каждого атома.

Схематическое изображение кристалла германия на
плоскости показано на рис.1. Каждый атом в монокристалле германия окружен
четырьмя соседними атомами, с которыми он связан парноэлектронными связями. В
результате валентная оболочка каждого атома имеет восемь электронов, т. е.
оказывается полностью заполненной. В таком кристалле все валентные электроны
связаны между собой прочными парноэлектронными связями. Свободных электронов,
которые могли бы участвовать в переносе зарядов, нет.



Ваше мнение



CAPTCHA