Категория
Информатика
Тип
реферат
Страницы
32 стр.
Дата
09.04.2013
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
358193.zip — 18.18 kb
  • vozdejstvie-radiacionnogo-izluchenija-na-operacionnye-usiliteli_358193_1.html — 73.99 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо


Текст работы

И. САМКОВ

Научный руководитель проф. Т.М. АГАХАНЯН

Московский
государственный инженерно-физический институт  (технический университет)


 

Обзор по теме


“Воздействие ионизирующего излучения на ИОУ.
Схемотехнические способы повышения радиационной стойкости ИОУ при воздействии
импульсного ионизирующего излучения ”


2006

СОДЕРЖАНИЕ


1.Основные радиационные эффекты в элементах
интегральных микросхем. 

1.1.  Классификация радиационных эффектов.

1.2.  Действие облучения на биполярные транзисторы

1.3.  Действие облучения на униполярные транзисторы

1.4.  Специфика эффектов в
зависимости от конструктивно-технологических
особенностей ИМС

3


2. Радиационные эффекты в усилительных и
дифференциальных каскадах

        2.1. Усилительные каскады.

        2.2. Дифференциальные каскады.

                  2.2.1. Моделирование
эффектов в дифф-каскадах.

                  2.2.2. Влияние ИИ на шумовые
характеристики.

5

3. Радиационные эффекты в ИОУ

        3.1. Воздействие ИИ на параметры ИОУ.

        3.2. Критериальные параметры.

        3.3. Проектирование радиационно-стойких ИОУ.

        3.4. Прогнозирование эффектов
воздействия ИИИ на ИОУ.

        3.5. Имитационные испытания.

        3.6. Уменьшение ВПР электронной
аппаратуры.

8

5. Список использованной литературы.

15



Ваше мнение



CAPTCHA