Категория
Информатика
Тип
курсовая работа
Страницы
31 стр.
Дата
03.04.2013
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
319016.zip — 16.61 kb
  • strukturnyj-sintez-aktivnyx-filtrov-vch-i-svch-diapazonov_319016_1.html — 70.73 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо


Текст работы

Содержание


1.
Предварительные замечания

2. Основные
свойства R-фильтров второго порядка

3.
Особенность схемотехники звеньев R-фильтров
нижних частот

4. Синтез структур R-звеньев с
дополнительными частотнозависимыми цепями

5. Синтез ФНЧ третьего порядка с дополнительными RC-цепями

Библиографический
список

1.
Предварительные замечания


Внедрение SiGe технологии в широкую инженерную практику открывает
объективные возможности построения твердотельных элементов и устройств
диапазона высоких и сверхвысоких частот. Причем это относится не только к
простейшим узлам, но и к более сложным устройствам, где реализация нужных
функциональных свойств и совокупности количественных показателей обеспечивается
применением специальных цепей обратной связи с глубоким возвратным отношением.

Важным дополнительным технологическим
ограничением, существенно влияющим на схемотехнику таких устройств, является
минимизация числа контактных площадок, потребляемой мощности при сохранении импедансных
соотношений. Кроме этого, можно также с уверенностью утверждать, что изменяется
не только структура, но и схемотехника базовых активных элементов, необходимых
для построения более сложных функциональных устройств. Именно поэтому, за
исключением диапазона рабочих частот, потенциально достижимые иные качественные
показатели усилителей, преобразователей напряжения – ток (ПНТ) и ток –
напряжение (ПТН) окажутся более низкими. Применительно к устройствам частотной
селекции – активным фильтрам, амплитудным и фазовым корректорам – такой вывод
существенно влияет на возможный набор альтернативных способов их
схемотехнической реализации. Например, при создании высокоселективных
(высокодобротных) фильтров или корректоров невозможно использовать гираторы на
ПНТ, а ориентация на RLC-базис
в частотозадающих цепях из-за индуктивности приводит к недопустимому увеличению
площади кристалла.



Ваше мнение



CAPTCHA