Категория
Информатика
Тип
реферат
Страницы
24 стр.
Дата
03.04.2013
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
318994.zip — 17.26 kb
  • istorija-izobretenija-tranzistora_318994_1.html — 57.46 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо


Текст работы

МИНИСТЕРСТВО ОБЩЕГО
И ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

РОСТОВСКОЙ ОБЛАСТИ

ГОСУДАРСТВЕННОЕ
ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧЕРЕЖДЕНИЕ СРЕДНЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «НОВОЧЕРКАСКИЙ
МЕХАНИКО_ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ КОЛЛЕДЖ ИМ.А.Д. ЦЮРУПЫ»


РЕФЕРАТ

на тему:

«ИСТОРИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯ
ТРАНЗИСТОРА»


2009г.

СОДЕРЖАНИЕ


Введение

1. История
изобретения транзистора

2. Первый
транзистор

3. Создание
биполярного транзистора

4. «Холодная
война» и ее влияние на электронику

5. Первые
советские транзисторы

6. Полевые
транзисторы

7. Область
применения транзистора


ВВЕДЕНИЕ


Трудно найти такую отрасль науки и техники, которая так же
стремительно развивалась и оказала такое–же огромное влияние на все стороны
жизнедеятельности человека, каждого отдельного и общества в целом, как
электроника. Как самостоятельное направление науки и техники электроника
сформировалась благодаря электронной лампе. Сначала появились радиосвязь,
радиовещание, радиолокация, телевидение, затем электронные системы управления,
вычислительная техника и т.п. Но электронная лампа имеет неустранимые
недостатки: большие габариты, высокое энергопотребление, большое время
вхождения в рабочий режим, низкую надежность. В результате через 2-3 десятка
лет существования ламповая электроника во многих применениях подошла к пределу
своих возможностей. Электронной лампе требовалась более компактная, экономичная
и надежная замена. И она нашлась в виде полупроводникового транзистора. Его
создание справедливо считают одним из величайших достижений научно-технической
мысли двадцатого столетия, коренным образом изменившим мир. Оно было отмечено
Нобелевской премией по физике, присужденной в 1956 г. американцам Джону
Бардину, Уолтеру Браттейну и Уильяму Шокли. Но у нобелевской тройки в разных
странах были предшественники . И это понятно. Появление транзисторов –
результат многолетней работы многих выдающихся ученых и специалистов, которые в
течении предшествующих десятилетий развивали науку о полупроводниках. Советские
ученые внесли в это общее дело огромный вклад. Очень много было сделано школой
физики полупроводников академика А.Ф. Иоффе – пионера мировых исследований по
физике полупроводников. Еще в 1931 году он опубликовал статью с пророческим
названием: «Полупроводники – новые материалы электроники». Немалую заслугу в
исследование полупроводников внесли Б.В. Курчатов и В.П. Жузе. В своей работе –
«К вопросу об электропроводности закиси меди» в 1932 году они показали, что
величина и тип электрической проводимости определяется концентрацией и природой
примеси. Советский физик Я.Н. Френкель создал теорию возбуждения в
полупроводниках парных носителей заряда: электронов и дырок. В 1931 г.
англичанину Уилсону удалось создать т еоретическую модель полупроводника,
сформулировав при этом основы «зонной теории полупроводников». В 1938 г. Мотт в
Англии, Б.Давыдов в СССР, Вальтер Шоттки в Германии независимо друг от друга
предложили теорию выпрямляющего действия контакта металл-полупроводник. В 1939
году Б.Давыдов опубликовал работу «Диффузионная теория выпрямления в
полупроводниках». В 1941 г. В. Е. Лашкарев опубликовал статью «Исследование
запирающих слоев методом термозонда» и в соавторстве с К. М. Косоноговой –
статью «Влияние примесей на вентильный фотоэффект в закиси меди». Он описал
физику «запорного слоя» на границе раздела «медь – закись меди», впоследствии
названного «p-n» переходом. В 1946 г. В. Лошкарев открыл биполярную диффузию
неравновесных носителей тока в полупроводниках. Им же был раскрыт механизм
инжекции – важнейшего явления, на основе которого действуют полупроводниковые
диоды и транзисторы. Большой вклад в исследование свойств полупроводников
внесли И.В.Курчатов, Ю.М.Кушнир, Л.Д.Ландау, В.М.Тучкевича, Ж.И.Алферов и др.
Таким образом, к концу сороковых годов двадцатого века основы теоретической
базы для создания транзисторов были проработаны достаточно глубоко, чтобы
приступать к практическим работам.




Ваше мнение



CAPTCHA