Категория
История
Тип
реферат
Страницы
26 стр.
Дата
01.04.2013
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
305621.zip — 15.92 kb
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо


Текст работы

Технологические основы электроники

Реферат

1. Изобразить и описать последовательность
формирования изолированных областей в структуре с диэлектрической изоляцией

Рис. 1.
Последовательность формирования изолированных областей в структуре с
диэлектрической изоляцией:

а — исходная пластина; б — избирательное травление
окисла, глубокое травление кремния, окисление поверхности; в — осаждение
поликристаллического кремния; г — шлифование и полирование обратной стороны
пластины; д — окисление поверхности; е — готовая структура после базовой и
эмиттерной диффузии и получения межсоединений

На рис.1 представлена последовательность формирования структуры с
диэлектрической изоляцией. В исходной пластине кремния n-типа методом
фотолитографии вытравливают участки окиси кремния, а затем и кремния по контуру
будущих элементов. В результате образуются канавки по замкнутому контуру.
Полученную рельефную поверхность окисляют. Далее эту поверхность покрывают
толстым слоем кремния методом осаждения. Вследствие дезориентирующего влияния
окисного слоя осажденный кремний имеет поликристаллическую структуру и служит
конструкционным основанием будущей ИМС. Обратную сторону шлифуют, удаляя
монокристаллический слой до вскрытия окиси кремния по границам областей, и
производят доводку (для удаления нарушенного слоя). После протравливания и
отмывки поверхности ее окисляют. Далее в образовавшихся изолированных областях
монокристаллического кремния n-типа диффузионным методом формируют элементы
(базовые области, резисторы, эмиттеры, области под контакты). Обычным путем
получают и межсоединения на поверхности пластины. Если исходная пластина
содержит эпитаксиальный n+-слой, то
транзисторы получаются со скрытым слоем.



Ваше мнение



CAPTCHA