Категория
Информатика
Тип
лекция
Страницы
15 стр.
Дата
31.03.2013
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
303388.zip — 8.45 kb
  • bipoljarnye-tranzistory_303388_1.html — 34.75 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо


Текст работы

ТЕМА 4. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

4.1 Устройство и принцип действия


Биполярный
транзистор – это полупроводниковый прибор, состоящий из трех областей с
чередующимися типами электропроводности и пригодный для усиления мощности.

Выпускаемые
в настоящее время биполярные транзисторы можно классифицировать по следующим
признакам:

Ø
по материалу: германиевые и кремниевые;

Ø
по виду проводимости областей: типа р-n-р  и  n-p-n;

Ø
по мощности: малой (Рмах £ 0,3Вт), средней (Рмах £ 1,5Вт) и большой мощности
(Рмах > 1,5Вт);

Ø
по частоте: низкочастотные, среднечастотные,
высокочастотные и СВЧ.

В
биполярных транзисторах ток определяется движением носителей заряда двух типов:
электронов и дырок (или основными и неосновными). Отсюда их название –
биполярные.

В
настоящее время изготавливаются и применяются исключительно транзисторы с
плоскостными р-n- переходами.

Устройство
плоскостного биполярного транзистора показано схематично на рис. 4.1.


Он
представляет собой пластинку германия или кремния, в которой созданы три
области с различной электропроводностью. У транзистора типа n-р-n средняя область имеет дырочную, а крайние области – электронную
электропроводность.

Транзисторы
типа р-n-р имеют среднюю область с
электронной, а крайние области с дырочной электропроводностью.

Средняя
область транзистора называется базой, одна крайняя область – эмиттером, другая
– коллектором. Таким образом в транзисторе имеются два   р-n- перехода: эмиттерный – между эмиттером и
базой и коллекторный – между базой и коллектором. Площадь эмиттерного перехода
меньше площади коллекторного перехода.



Ваше мнение



CAPTCHA