Категория
Информатика
Тип
контрольная работа
Страницы
29 стр.
Дата
29.03.2013
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
287409.zip — 16.78 kb
  • jelektronnaja-texnika_287409_1.html — 77.91 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо


Текст работы

ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА


Вариант №50



Методы формирования и виды электронно-дырочных переходов


А). виды электрических переходов между двумя слоями полупроводника


Электрический переход между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электропроводность n - типа (электронную, а другая - р - типа (дырочную), называют электронно-дырочным переходом , или, кратко, р - n-переходом.

Электрические переходы между двумя областями полупроводника одного и того же типа электропроводности, с различающимися значениями удельной электрической проводимости, называют изотипными переходами. Изотипные переходы могут быть электронно-электронными (n - n + ) или дырочно-дырочным (р -р + ). Знаком + условно отмечается область с более высокой удельной электрической проводимостью.

В зависимости от используемых для образования электрического перехода полупроводниковых материалов различают гомогенный переход (гомопереход) , образованный в одном полупроводниковом материале - германии (Gе), кремнии (Si), арсениде галлия (GаАs) и др., и гетерогенный переход (гетеропереход) , образованный смежными областями полупроводниковых материалов с различной шириной запрещенной зоны: германий - кремний, германий - арсенид галлия и многие другие. Например, такие структуры получили широкое распространение в оптоэлектронике: многие светоизлучающие диоды строятся на структуре - GаАlАs - GаАs , полупроводниковые лазеры - на структуре - InР - GаIn - АsР.


В). методы формирования р - n-переходов


В основе работы большинства полупроводниковых приборов и активных элементов интегральных микросхем лежит использование свойств р - n-перехода.



Ваше мнение



CAPTCHA