Категория
Информатика
Тип
курсовая работа
Страницы
40 стр.
Дата
29.03.2013
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
286702.zip — 22.66 kb
  • texnologija-izgotovlenija-kristallov-poluprovodnikovyx-integralnyx-mikrosxem_286702_1.html — 91.65 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо


Текст работы

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ
ФЕДЕРАЦИИ

ОРЛОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ
УНИВЕРСИТЕТ


 

 

 

 

 

 

КУРСОВАЯ РАБОТА

на тему: « Технология изготовления
кристаллов полупроводниковых интегральных микросхем »

Дисциплина:
«Материаловедение и материалы электронных средств»


Выполнил студент группы 31-Р

Козлов А. Н.

Руководитель Косчинская Е. В.


 

 

Орел, 2004

Содержание

Введение

Часть I. Аналитический обзор

1.1
Интегральные схемы

1.2 Требования к полупроводниковым подложкам

1.3 Характеристика монокристаллического
кремния

1.4 Обоснование применения монокристаллического кремния

1.5 Технология получения монокристаллического
кремния

1.5.1 Получение кремния
полупроводниковой чистоты

1.5.2 Выращивание монокристаллов

1.6 Механическая обработка монокристаллического кремния

1.6.1 Калибровка

1.6.2 Ориентация

1.6.3 Резка

1.6.4 Шлифовка и полировка

1.6.5 Химическое травление
полупроводниковых пластин и подложек

1.7 Операция
разделения подложек на платы

1.7.1 Алмазное скрайбирование

1.7.2 Лазерное скрайбирование

1.8 Разламывание пластин на кристаллы

Часть II. Расчет

Заключение



Ваше мнение



CAPTCHA