Категория
Информатика
Тип
практическая работа
Страницы
4 стр.
Дата
28.03.2013
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
282172.zip — 3.38 kb
  • izuchenie-parametrov-polevyx-tranzistorov_282172_1.html — 10.45 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо


Текст работы

Отчёт по лабораторной работе

Изучение параметров полевых транзисторов



Подготовили : Жаренков А.

Шестаков И.

Иванов В


Целью данной работы является исследование ВАХ полевого транзистора с p-n-переходом и каналом n-типа при различных режимах работы, а также ознакомление с методом измерения основных параметров полевого транзистора.

Полевым называют транзисторы, работа которых основана на управлении размерами токопроводящей области (канала) посредством изменения напряженности поперечно-приложенного электрического поля. Проводимость канала в таких приборах определяется основными носителями.

Контакт, от которого движутся основные носители, называется истоком, а тот к которому движутся - стоком. Затвор электрически изолирован от канала областью объёмного заряда перехода. В зависимости от способа изоляции различают:

Транзисторы с управляющим переходом;

Транзисторы с изолированным затвором (МОП, МПД);

Транзисторы с индуцированным каналом;

Транзисторы с барьером Шоттки.

Основные характеристики полевого транзистора:

. Выходные характеристики полевого транзистора.

На выходных характеристиках (Рис. 1) участок I соответствует триодному режиму работы полевого транзистора, при этом , участок II соответствует пентодному режиму работы, . Ток стока достигает насыщения за счет увеличения падения напряжения на сопротивлении канала и соответствующего уменьшения ширины канала, а также за счет уменьшения подвижности носителей и насыщения их скорости.



. Входные характеристики полевого транзистора.



Ваше мнение



CAPTCHA