Категория
Информатика
Тип
курсовая работа
Страницы
43 стр.
Дата
28.03.2013
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
280314.zip — 20.86 kb
  • bazisnye-struktury-jelektronnyx-sxem_280314_1.html — 89.22 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо


Текст работы

Содержание

Введение

1 Одиночные каскады

2. Дифференциальные усилители

3. Классификация способов перестройки параметров.
Параметры управителей

4. Цифроуправляемые резисторы параллельной структуры

5. Влияние не идеальности
электронных ключей на свойства базисных структур

6.
Цифроуправляемые проводимости лестничного типа

Библиографический список


Введение

В общем случае объединение отдельных
электронных элементов в систему представляет собой восходящую ветвь проектной
процедуры. В этой связи уровень сложности синтеза структуры определяется
глубиной детализации ее компонент. Действительно, если в качестве простейших
элементов цепи выбрать транзисторы, резисторы и конденсаторы, то число
возможных вариантов их объединения в систему оказывается несоизмеримо больше
аналогичных вариантов, соответствующих уровню – операционный усилитель, резистор
и конденсатор. Увеличение числа возможных вариантов решения конкретной задачи
может повысить количество перспективных по совокупности критериев качества
схемных конфигураций. В то же время очевидная функциональная полнота в силу
чрезвычайно большого числа структурных и иных преобразований, связанных с
процессом математических преобразований, заметно повышает степень риска.

Разумным компромиссом в создавшемся
положении является стратегия декомпозиции общей задачи синтеза
сложно-функциональных (СФ) блоков, выделения набора базисных структур, принцип
построения которых базируется на достижениях базовых технологических
ограничениях.



Ваше мнение



CAPTCHA