Категория
Информатика
Тип
дипломная работа
Страницы
29 стр.
Дата
26.03.2013
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
268874.zip — 18.04 kb
  • sozdanie-nizkorazmernoj-sredy-v-arsenide-gallija-dlja-ustrojstv-mikro-i-nanojelektroniki_268874_1.html — 74.44 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо


Текст работы

ВЫПУСКНАЯ КВАЛИФИКАЦИОННАЯ РАБОТА

в форме бакалаврской работы

Создание низкоразмерной среды в арсениде галлия для устройств микро- и наноэлектроники

СОДЕРЖАНИЕ


Введение

. Арсенид галлия как перспективный материал микро- и наноэлектроники

1.1Свойства и применение арсенида галлия

1.2Пористая матрица арсенида галлия и её структурные свойства

.3Оптические свойства пористой матрицы

2. Формирование низкоразмерной среды в арсениде галлия

2.1 Исследование электрофизических параметров исходного монокристаллического арсенида галлия

.1.1 Определение кристаллографической ориентации подложек

.1.2 Определение типа проводимости подложек методом термо-ЭДС

2.1.3 Определение концентрации основных носителей заряда

2.2 Формирование пористой матрицы в арсениде галлия

2.2.1 Электрохимия полупроводников

2.2.2 Технологические условия формирования пористого арсенида галлия

3. Исследование пористого арсенида галлия

3.1 Структурные свойства

.1.1 Оптическая микроскопия

.1.2 Электронная микроскопия

.2 Электрические свойства

.3 Оптические свойства

Заключение

Список использованных источников

ВВЕДЕНИЕ


В настоящее время основным материалом функциональной электроники является ареснид галлия, как самый универсальный по своим электрофизическим свойствам из всех полупроводниковых материалов типа.

Физико-химические свойства пористых полупроводников достаточно давно привлекают внимание исследователей, применяющих подобные материалы в технологии полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Так, пористый кремний, получаемый обычно методом электрохимического травления, широко используется в технологии «кремний на диэлектрике», для создания проводящих слоёв, а также в качестве подложек для гетероэпитаксии [6]. Интерес к пористым полупроводникам заметно возрос после обнаружения интенсивной фотолюминесценции у пористой модификации кремния - изначально полупроводника со слабой излучательной способностью [7-10]. Условия получения и свойства пористого арсенида галлия пока остаются малоизученными. В литературе встречаются лишь отрывочные данные, свидетельствующие о возможности его получения методом электрохимического травления [11-13].



Ваше мнение



CAPTCHA