Категория
Информатика
Тип
курсовая работа
Страницы
20 стр.
Дата
25.03.2013
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
265532.zip — 14.18 kb
  • integrirovanye-chipsety-h55-i-h57_265532_1.html — 46.36 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо


Текст работы

Введение


В данной курсовой работе
я буду рассматривать "Интегрированные" чипсеты Intel H55 и H57. В
самом начале января 2010-го компания Intel практически завершила славную эпоху
процессоров, основанных на микроархитектуре Core. Теперь, по иронии судьбы, на
Core будут (еще какое-то время) выпускаться только ультрабюджетные модели под
торговой маркой Celeron для Socket 775. Как вы уже знаете из представления
процессоров на ядре Clarkdale, обновленная платформа подразумевает включение
новых чипсетов — H55 и H57 — в число возможных вариантов применения. Однако
нельзя сказать, что использование новых чипсетов — условие непременное или
позволяющее раскрыть потенциал новых процессоров полностью: где-то потенциал
раскроется полнее, а где-то и прикроется вовсе. Что ж, давайте познакомимся с
первыми "интегрированными" чипсетами под Nehalem (точнее, Clarkdale).


1.
История создания фирмы INTEL


Началось все с того, что в 1955 году
изобретатель транзистора Уильям Шокли открыл собственную фирму
ShockleySemiconductorLabs в Пало-Альто (что, кроме всего прочего, послужило
началом создания Кремниевой долины), куда набрал довольно много молодых
исследователей. В 1959 году по ряду причин от него ушла группа в восемь
инженеров, которых не устраивала работа "на дядю" и они хотели
попробовать реализовать собственные идеи. "Восьмерка предателей", как
их называл Шокли, среди которых были в том числе Мур с Нойсом, основала фирму
FairchildSemiconductor.

Боб Нойс занял в новой компании должность
директора по исследованиям и разработкам. Позднее он утверждал, что придумал
микросхему из лени – довольно бессмысленно выглядело, когда в процессе
изготовления микромодулей пластины кремния сначала разрезались на отдельные
транзисторы, а затем опять соединялись друг с другом в общую схему. Процесс был
крайне трудоемким – все соединения паялись вручную под микроскопом! – и
дорогим. К тому моменту сотрудником Fairchild, тоже одним из сооснователей –
Джином Герни (JeanHoerni) уже была разработана т.н. планарная технология
производства транзисторов, в которой все рабочие области находятся в одной
плоскости. Нойс предложил изолировать отдельные транзисторы в кристалле друг от
друга обратносмещенными p-n переходами, а поверхность покрывать изолирующим
окислом, и выполнять межсоединения с помощью напыления полосок из алюминия.
Контакт с отдельными элементами осуществлялся через окна в этом окисле, которые
вытравливались по специальному шаблону плавиковой кислотой.



Ваше мнение



CAPTCHA