Категория
Информатика
Тип
дипломная работа
Страницы
35 стр.
Дата
23.03.2013
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
252444.zip — 21.69 kb
  • proektirovanie-kombinacionnoj-sxemy-proverki-chetnosti-2-x-bajtovoj-posylki_252444_1.html — 145.78 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо


Текст работы

Оглавление


АННОТАЦИЯ

. ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ

. РАЗРАБОТКА ЛОГИЧЕСКОЙ СХЕМЫ

. РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО МАРШРУТА И РЕЖИМОВ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ

.1 Технологический маршрут

.2 Графичесое изображение стадий процесса

.3 Выбор легирующей примеси

.4 Выращивание эпитаксиального слоя кремния

.5 Расчет профилей распределения примеси и времени высокотемпературных процессов

.5.1 Определение концентраций в подложке и эпитаксиальном слое

.5.2 Определение профилей распределения примеси в неоднородно легированных слоях

.5.3 Окисление

.5.4 Результаты расчета параметров высокотемпературных процессов

.6 Профили распределения примеси

.7 Расчет конструкционно-технологических ограничений

.8 Фотошаблоны

. МОДЕЛИРОВАНИЕ ИНТЕГРАЛЬНОГО БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

.1 Определение ширины области пространственного заряда p-n - переходов

.2 Расчет барьерных емкостей p-n переходов

.3 Расчет параметров модели Гуммеля - Пуна

.3.1 Расчет тока насыщения

.3.2 Расчет токов генерации - рекомбинации

.3.3 Расчет времени пролета носителей заряда через базу

.3.4 Расчет характеристических токов IKF и IKR

.3.5 Расчет напряжения Эрли

.3.6 Расчет чисел Гуммеля для базы и эмиттера

.3.7 Расчет коэффициента передачи тока базы в нормальном режиме

.3.8 Расчет коэффициента передачи тока базы в инверсном режиме

.3.9 Расчет параметров эффекта квазинасыщения

.3.10 Расчет сопротивлений транзистора

.4 Моделирование параметров интегрального транзистора в программе физико-топологического моделирования TCad



Ваше мнение



CAPTCHA