Категория
Информатика
Тип
курсовая работа
Страницы
17 стр.
Дата
23.03.2013
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
251123.zip — 8.1 kb
  • raschet-parametrov-struktury-integralnogo-n-p-n-tranzistora-i-opredelenie-texnologicheskix_251123_1.html — 36.28 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо


Текст работы

Введение


Целью данного
курсового проекта является расчет параметров структуры транзистора и
определение технологических режимов ее изготовления.

По заданным
параметрам структуры транзистора выбирается технологический маршрут
изготовления. Определяются технологические режимы эпитаксиального наращивания,
имплантации, длительность и температура диффузии, рассчитываются профили
распределения примеси.

В курсовом
проекте рассматривается задача синтеза структуры транзистора с использованием
расчетных соотношений и параметров материалов, применяемых в его производстве.

Экономический
расчет проекта не проводился.

Новизны в
работе нет, так как проектирование проводилось по материалам учебной
литературы.



Реферат


Пояснительная
записка содержит 17 рисунков, 1 таблицу, приложение. При написании проекта
использовался 1 источник.

Перечень
ключевых слов: транзистор, диффузия, имплантация, легирующая примесь,
p-n-переход, удельное сопротивление, напряжение лавинного пробоя, профиль
распределения, температура, коэффициент диффузии, кремний, технологический
режим.

Объект
разработки: структура кремниевого эпитаксиально-планарного n-p-n транзистора.

Цель работы:
расчет параметров структуры транзистора и определение технологических режимов
ее изготовления.

Метод
разработки: аналитический расчет.

Полученные
результаты: x jСС = 8,49 мкм, h ЭС  6 мкм,  ЭС = 0,4 Ом *см,
x jРД = 7,062 мкм, x jКБ = 3 мкм, x jЭБ = 2,3
мкм, cc = 3 мкм.



Ваше мнение



CAPTCHA