Категория
Информатика
Тип
практическая работа
Страницы
11 стр.
Дата
23.03.2013
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
250719.zip — 7.55 kb
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо


Текст работы

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 4

"Исследование статического элемента памяти запоминающего устройства с произвольной выборкой"


Введение


С развитием интегральной технологии произошел существенный скачок в объеме производства запоминающих устройств (ЗУ). Постепенное снижение их удельной стоимости и габаритов послужило причиной вытеснения других типов ЗУ на рынке современной вычислительной техники.

В настоящее время для интегральной технологии не является предельной информационная емкость в миллиард бит на один кристалл. В таких схемах наиболее ярко проявляется нетрадиционность схемотехники микроэлектронных устройств по сравнению со схемами, построенными на дискретных элементах [1,2].

В настоящей работе исследуется элемент памяти (ЭП) (рис.1), построенный на биполярных двухэмиттерных транзисторах, используемый в интегральных схемах памяти с произвольной выборкой.


Функциональная схема ЭП


На рис. 2, а приведена функциональная схема ЭП ЗУ с произвольной выборкой. В нее входят:

бистабильная ячейка (БЯ);

цепи управления бистабильной ячейкой при записи информации (ЦЗ);

цепи управления бистабильной ячейкой при считывании информации (ЦС).

БЯ обеспечивает хранение информации, записанной в нее через ЦЗ. Входы Азап и Асч необходимы, во-первых, для выбора из множества ЭП в ЗУ только одного и, во-вторых для определения режима работы ЭП. При соответствующем значении логического уровня на входе Асч происходит считывание информации и на выходе ЭП Dсч появляется логический уровень, соответствующий той информации, которая была предварительно записана в БЯ.

При наличии напряжения питания БЯ статического ЗП находится в одном из двух устойчивых логических состояний, либо в состоянии "0", либо - "1". В ЭП (рис.1) используется БЯ на биполярных транзисторах, которую можно представить в виде, приведенном на рис. 3.





Ваше мнение



CAPTCHA