Категория
Информатика
Тип
курсовая работа
Страницы
16 стр.
Дата
14.09.2015
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
1078301.zip — 9.79 kb
  • raschjot-usilitelja-postroennogo-po-sxeme-s-obshhim-jemitterom_1078301_1.html — 40.85 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо



Текст работы

.


То есть, изменение коллекторного тока теоретически должно составить от номинального значения.

Если же, наоборот, уменьшить коэффициент усиления транзистора VT1

в два раза:


.


Тогда, .

При проверке полученных результатов с помощью моделирования в программе Electronic Workbench 5.12 есть некоторые особенности. Математическая модель биполярного транзистора в этой программе содержит параметр (где , - тепловые токи соответственно эмиттерного и коллекторного переходов). Поэтому чтобы изменение параметра не повлияло на тепловые токи переходов, нужно соответствующим образом изменять параметры и .

Проанализируем поведение схемы при увеличении в 10 раз неуправляемого тока коллекторного перехода .

Ток равен сумме двух составляющих: теплового тока коллекторного перехода и тока утечки , обусловленного дефектами структуры коллекторного перехода. Для простоты, пренебрегая второй составляющей, будем считать .

Поскольку для транзистора справедливо равенство , то увеличение в 10 раз теплового тока коллекторного перехода приведёт к увеличению во столько же раз теплового тока эмиттерного перехода . Это, в свою очередь, повлечёт уменьшение напряжения на участке база-эмиттер транзистора, поскольку .

Чтобы вычислить изменение коллекторного тока, запишем:


,


Тогда


.

Обозначив , можно показать, что


.


В данном случае . Кроме того, , тогда из :


,

где .


Поскольку , , то


.


Окончательно, из :


.





Ваше мнение



CAPTCHA