Категория
Информатика
Тип
дипломная работа
Страницы
20 стр.
Дата
03.09.2015
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
1076268.zip — 11.88 kb
  • issledovanie-vlijanija-formy-kontaktnyx-ploshhadok-na-parametry-voznikajushhix-kolebanij-t_1076268_1.html — 52.15 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо


Текст работы

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Саратовский государственный университет им. Чернышевского»

Кафедра физики полупроводников



ВЫПУСКНАЯ КВАЛИФИКАЦИОННАЯ РАБОТА

по направлению «Электроника и наноэлектроника»

на тему «Исследование влияния формы контактных площадок на параметры возникающих колебаний тока в полуизолирующем GaAs»


Студент-дипломник И.А. Чертов

Научные руководители

Зав. кафедрой, профессорА.И. Михайлов

АссистентИ.О. Кожевников

ДОПУСКАЕТСЯ К ЗАЩИТЕ

Заведующий кафедрой А.И. Михайлов

д.ф.-м.н., профессор


САРАТОВ 2014


Содержание


Введение

. Анализ современного состояния работ, посвященных исследованию неустойчивостей тока в полупроводниковых структурах

. Экспериментальное исследование влияние формы контактных площадок на параметры токовых колебаний в мезапланарных структурах на основе высокоомного GaAs

.1 Параметры используемых материалов и технология изготовления экспериментальных образцов

.2 Схема экспериментальной установки для проведения исследования

. Анализ результатов экспериментального исследования влияния формы контактных площадок в мезапланарных структурах на основе высокоомного GaAs

Заключение

Список используемой литературы

Приложение

колебание неустойчивость тока полупроводниковая структура


Введение




Ваше мнение



CAPTCHA