Категория
Информатика
Тип
курсовая работа
Страницы
22 стр.
Дата
16.06.2015
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
1060686.zip — 13.92 kb
  • principialnaja-sxema-usilitelja-na-osnove-polevyx-i-bipoljarnyx-tranzistorov_1060686_1.html — 62.35 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо


Текст работы

Содержание


Техническое задание

Исходные данные

Введение

. Разработка структурной схемы

. Разработка принципиальной схемы

. Разработка интегральной микросхемы

.1 Выбор навесных элементов и расчёт конфигурации плёночных элементов

.2 Разработка топологии

.3 Этапы изготовления устройства в виде гибридной интегральной микросхемы

Заключение

Список литературы


Техническое задание


Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС).


Исходные данные

электронный усилитель сопротивление микросхема

1.
Напряжение источника питания U
ПИТ
= - 9 В.

2.
Коэффициент усиления по напряжению: Кu = 8.

.
Входное сопротивление: R
ВХ
= 2 МОм.

.
Выходное сопротивление: R
Н
= 0,6 кОм.

.
Выходное номинальное напряжение U
НОМ
= 1 В.

.
Нижняя рабочая частота: f
Н
= 50 Гц.

.
Верхняя рабочая частота: F
В
= 10 кГц.

.
Коэффициент искажений на нижней частоте: М
Н
= 3 дБ.

.
Коэффициент искажений на верхней частоте: М
В
= 3 дБ.



Ваше мнение



CAPTCHA