Категория
Информатика
Тип
практическая работа
Страницы
11 стр.
Дата
27.05.2015
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
1056789.zip — 7.98 kb
  • korrektirovka-nominalov-tonkopljonochnyx-jelementov-gibridnyx-integralnyx-sxem_1056789_1.html — 29.16 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо


Текст работы

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА

КОРРЕКТИРОВКА НОМИНАЛОВ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ


1. Цель работы


Изучение методов подгонки тонкоплёночных резисторов и конденсаторов.


.1 Краткие сведения ив теории


Сопротивление пленочного резистора определяется па формуле


R=
?
0l/b=
?
0Kф
(1.1)


где
?
0 - удельное поверхностное сопротивление резистивной пленки;

l, b - длина и ширина резистора соответственно;

Kф - коэффициент формы резистора.

Из формулы (1.1) видно, что точность резистора зависит как от точности воспроизведения
?
0 при изготовлении резистора, так и от точности воспроизведения геометрических размеров резистора. В настоящее время основным методом формирования конфигурации тонкопленочных элементов является фотолитография, которая обеспечивает довольно точное воспроизведение размеров резисторов. Поэтому основной вклад в величину изменения номинала резисторов вносит точность воспроизведения величины удельного поверхностного сопротивления резистивных пленок.

Величина
?
0 является функцией многих технологических факторов: толщина пленки, угла падения пучка испаренных частиц на подложку, температуры подложки, скорости нанесения, степени вакуума. Основное влияние на
?
0 оказывает толщина пленки. Современные вакуумные установки позволяют наносить тонкие пленки с неравномерностью по толщине +/- 5% и ниже. Влияние остальных технологических факторов сводится к изменению структура и состава резистивных пленок, что также сказывается на величине
?
0. В результате точность номиналов резисторов обычно составляет +/- 10%.



Ваше мнение



CAPTCHA